DQS终端电阻连接在write driver一侧,信号不会被终端电阻吸收吗 如何传递给write driver
时间: 2023-12-13 13:05:08 浏览: 29
在DQS终端电阻连接在write driver一侧时,信号确实会被终端电阻吸收一部分。为了确保信号能够传递给write driver,需要采取以下措施:
1. 选择合适的终端电阻阻值:终端电阻阻值应该与总线阻抗匹配,以最大程度地减小信号反射和衰减。
2. 采用预加重技术:预加重技术可以提高信号的高频部分,从而抵消终端电阻的影响,确保信号能够有效地传递到write driver。
3. 使用强驱动器:强驱动器可以提供足够的驱动力,从而克服终端电阻的影响,确保信号能够有效地传递到write driver。
4. 采用其他技术:如使用反向器、布线技术等,可以进一步提高信号的传输效率,确保信号能够有效地传递到write driver。
相关问题
DQS终端电阻连接在write driver一侧,信号不会被终端电阻吸收吗 那为何终端电阻要设置在write driver
终端电阻的作用是匹配驱动器和传输线的特性阻抗,以确保信号传输的最佳匹配。在写驱动器一侧设置终端电阻可以帮助抑制信号反射,从而提高信号的传输质量和可靠性。如果终端电阻设置在传输线的另一侧,则信号会被终端电阻吸收,导致信号衰减和失真。因此,在写驱动器一侧设置终端电阻是为了最大限度地减少信号衰减和失真,以确保信号的传输质量和可靠性。
写一段使用了DQS_n DQS_p输入的代码
下面是一个使用了DQS_n和DQS_p输入信号的伪代码示例,用于实现DDR存储器的读取功能:
```
// 假设DQS_n和DQS_p信号分别连接到FPGA器件的DQS_n和DQS_p引脚上
// 定义DDR控制器产生的DQS_n和DQS_p信号
wire DQS_n, DQS_p;
// 定义DDR存储器的数据输出引脚和地址引脚
wire [7:0] data_out;
wire [12:0] addr;
// 定义时钟信号
reg clk;
// 在时钟上升沿时读取数据
always @(posedge clk) begin
// 将地址信息发送给DDR存储器
send_addr(addr);
// 发送读取命令给DDR存储器
send_cmd(READ_CMD);
// 等待DDR存储器准备好数据
wait_for_ready();
// 读取数据并将其存储到data_out寄存器中
data_out <= read_data(DQS_n, DQS_p);
end
```
在上面的代码中,DQS_n和DQS_p信号被用作read_data函数的输入参数,用于控制数据的采样时间,确保数据能够正确地被读取。具体的实现细节需要根据具体的DDR存储器和FPGA器件进行调整。