半导体清洗使用的试剂

半导体清洗过程中常用的试剂取决于清洗的目的和需要去除的污染物类型。常见的清洗剂包括：

1. **酸性溶液**：如氢氟酸（HF）、硝酸（HNO3）或柠檬酸（Citric Acid）用于去除氧化物、有机污渍以及某些金属污染。

2. **碱性溶液**：如氢氧化钠（NaOH，即苛性钠）、氨水（NH3·H2O）等可以用于清除有机物、油脂和其他碱性杂质。

3. **去离子水**：高纯度的去离子水是半导体制造过程的标准清洗介质，用于冲洗和漂洗，以减少颗粒和杂质。

4. **湿氧化剂**：如过氧化氢（H2O2）在某些工艺中用于温和的表面氧化处理。

5. **溶胶-凝胶清洗**：通过特定的溶胶-凝胶处理，可以使用含硅的化学物质来形成保护层，然后用水洗掉多余的部分。

6. **超临界二氧化碳（Supercritical CO2）**：这是一种环保的清洗方法，因为CO2在高压高温下变成液体，能有效地溶解许多有机和无机污染物。

在实际应用中，清洗步骤通常会结合多种试剂，按照严格的清洁流程进行，以确保半导体器件表面达到极高的洁净度。