光刻技术在CPU制造中是如何实现微观电路图案转移到硅晶圆上的？

光刻技术是半导体制造中不可或缺的精密工艺，它在CPU制造过程中起着至关重要的作用，负责将微型电路图案精确地转移到硅晶圆上。具体来说，光刻过程分为以下几个关键步骤：（步骤1：清洁和预处理晶圆）首先，对晶圆进行彻底清洁，并涂覆一层光敏材料——光刻胶。晶圆在旋转过程中，光刻胶均匀覆盖其表面，形成一个光滑且厚度均匀的涂层。（步骤2：曝光）然后，将含有电路图案的掩模版对准光刻胶涂层的晶圆，使用紫外线或其他类型的光源透过掩模版照射光刻胶。掩模版上的图案会投射到光刻胶上，根据掩模版上的透明与不透明部分，光刻胶相应部分发生化学反应。（步骤3：显影）曝光完成后，通过显影剂溶解掉未发生反应的光刻胶，留下未被溶解的部分，这些部分就是电路图案的负像。（步骤4：蚀刻）接着，利用化学或物理方法将晶圆上没有光刻胶保护的区域蚀刻掉，这样，光刻胶上形成的电路图案就被转移到了硅晶圆上。（步骤5：光刻胶移除）最后，蚀刻后的晶圆表面会移除剩余的光刻胶，准备进行下一轮的光刻或金属沉积等工序。光刻技术的精度直接决定了CPU中电路的集成度和性能。随着技术的进步，极紫外光(EUV)光刻技术正在成为主流，它能够实现更小特征尺寸的图案转移，是推动CPU向更小纳米级别发展的关键技术之一。为了深入了解光刻技术及其在CPU制造中的应用，建议阅读《揭秘CPU制造全过程：从沙子到芯片》，这本书详细介绍了从原料获取到最终成品的每一步，特别是光刻技术在制造过程中的作用和挑战。

参考资源链接：[揭秘CPU制造全过程：从沙子到芯片](https://wenku.csdn.net/doc/1yuxf3cwzw?spm=1055.2569.3001.10343)