NMOS rds 1/GM

NMOS (场效应晶体管) 的 Rds(on) 或者叫漏极电阻，是指在栅极电压 VGS 加到开启状态（一般指 VGS > threshold voltage，阈值电压）时，从源极到漏极之间的最小电阻。这个电阻表示了电流通过沟道时受到的阻力。而 GM（Transconductance，跨导），则衡量的是当栅极电压变化时，漏极电流增大的程度，它是漏极电流增量 ID 对于栅极电压 VG 的比值。

Rds(on)/GM 比值通常用于描述NMOS器件的线性放大能力，即当栅极控制能力强，漏极电阻足够小的时候，它能够更有效地驱动负载，适合做作放大器等电路。较低的 Rds(on)/GM 比意味着更好的开关性能，因为这意味着在给定的栅极控制下可以有更大的电流流过。反之，如果这个比值高，则说明晶体管对于栅极信号的变化反应较慢，放大效率不高。