画出增强型nmos和耗尽型nmos的电路符号
时间: 2024-02-09 11:10:13 浏览: 35
以下是增强型nmos和耗尽型nmos的电路符号:
增强型nmos:
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D ------| |
| N |
G ------|_______|
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S ------|_______|
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耗尽型nmos:
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D ------| |
| P |
G ------|_______|
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S ------|_______|
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相关问题
增强型nmos的输出特性曲线
增强型NMOS的输出特性曲线通常是以漏极-源极电压Vds为横坐标,漏极电流Id为纵坐标绘制的。当栅极-源极电压Vgs为常数时,输出特性曲线是一条平滑的曲线,呈现出一个类似于二次函数的开口朝上的形状。
当栅极-源极电压Vgs逐渐增大时,曲线的整体位置会向上平移,输出电流也会相应增大。而当Vgs达到一定电压时,输出特性曲线会发生明显的变化,出现饱和现象,即曲线的上升速度变缓慢,最终达到一个稳定的平衡点,此时的漏极电流称为饱和漏电流。此时,增强型NMOS的输出电压几乎不再随着漏极电流的增大而下降,输出电压保持稳定。
增强型nmos的输出特性曲线线性放大区方程
增强型NMOS的输出特性曲线线性放大区是指栅极-源极电压Vgs较小,漏极-源极电压Vds较大时的区间,此时增强型NMOS的输出电流与漏极-源极电压Vds成正比,输出特性曲线呈现出一条近似直线的趋势,因此也称为线性放大区。线性放大区的方程可以近似表示为:
Id ≈ K * (Vgs - Vt) * Vds
其中,Id是NMOS的漏极电流,K是MOS管的常数,Vgs是栅极与源极之间的电压,Vt是NMOS的阈值电压,Vds是漏极-源极电压。该方程表明在线性放大区,增强型NMOS的漏极电流与漏极-源极电压成正比,与栅极-源极电压呈二次方关系。