半导体polycide

半导体polycide，全称为Poly-Silicon Etch，是指利用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）技术，在硅片上形成一层或多层高纯度的二氧化硅或其他化合物的过程。这个过程主要用于集成电路制造中的关键步骤，如光刻掩模制作、金属化接触孔的形成以及芯片表面平坦化等。

Polycide通常发生在以下几个阶段：
1. 制备底层硅：先在硅片上生长一层硅作为基础层。
2. 形成SiO2或者其他绝缘层：通过CVD反应生成高温下的二氧化硅，可以提供优良的电绝缘性能。
3. 深刻硅：使用特定的蚀刻气体和工艺去除部分硅，露出下面的金属线路或接触点。
4. 平坦化：有时需要去除过多的顶层硅，保持表面平整以便后续工序的进行。