选取两款D-MOSFET管的型号并说明它们的产品参数

时间: 2024-05-27 07:10:47 浏览: 201

MOSFET的型号选择

4星 · 用户满意度95%

### MOSFET的型号选择详解 #### 一、设计选择原则 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种重要的电子元件，在电源管理、信号放大等多个领域都有着广泛的应用。选择合适的MOSFET型号对于确保系统性能至关重要。以下是从给定文档中提取的关键知识点，帮助理解MOSFET选型时需要考虑的因素。 ### 1. 电压应力 **定义**: 在电源电路应用中，漏源电压\( V_{DS} \)的选择是最首要考虑的参数之一。为了确保安全性和可靠性，MOSFET在实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压应该不大于器件规格书中标称漏源击穿电压\( V_{(BR)DSS} \)的90%。 **公式**: \[ V_{DS\_peak} \leq 90\% \times V_{(BR)DSS} \] **注意事项**: - \( V_{(BR)DSS} \)通常具有正温度系数，这意味着随着温度升高，该值可能会增加。因此，在选择MOSFET时，应当参考在最低工作温度条件下的\( V_{(BR)DSS} \)值。 ### 2. 漏极电流 **定义**: 漏极电流的选择同样重要。MOSFET在实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称的最大漏源电流\( I_D \)的90%，而漏极脉冲电流峰值也不大于规格书中标称的漏极脉冲电流峰值\( I_{DP} \)的90%。 **公式**: \[ I_{D\_max} \leq 90\% \times I_D \] \[ I_{D\_pulse} \leq 90\% \times I_{DP} \] **注意事项**: - \( I_{D\_max} \)和\( I_{D\_pulse} \)通常具有负温度系数，即随着温度升高而下降。因此，建议根据最大结温条件下的值来确定。 - 实际应用中，规格书中的\( I_D \)往往会比实际最大工作电流大数倍，这是由于散热和温升的限制。 ### 3. 驱动要求 **定义**: MOSFET的驱动能力由其栅极总充电电量\( Q_g \)参数决定。在满足其他参数要求的前提下，尽量选择栅极总充电电量较小的MOSFET，这有助于简化驱动电路的设计。 **注意事项**: - 驱动电压的选择应保证远离最大栅源电压\( V_{GS} \)，同时使导通电阻\( R_{ON} \)尽可能小。通常采用规格书中推荐的值。 ### 4. 损耗及散热 **定义**: 小的导通电阻\( R_{DS(on)} \)有利于减少导通期间的损耗，而低的热阻\( R_{TH} \)可以帮助降低温度差异，从而改善散热效果。 **注意事项**: - \( R_{DS(on)} \)和\( R_{TH} \)的选择需要平衡多个因素，包括工作环境、散热技术和其他参数的影响。 ### 5. 功率损耗初算 **定义**: MOSFET的损耗计算主要包含多个组成部分，如导通损耗、截止损耗等。这些损耗可以通过特定公式进行估算。 **公式示例**: \[ P_{D} = P_{ON} + P_{OFF} + P_{OFF\_ON} + P_{ON\_OFF} + P_{DS} + P_{GS} + P_{D\_f} + P_{D\_recover} \] **注意事项**: - 具体计算公式应根据电路类型和工作条件确定。 - 同步整流应用中还需要考虑体内二极管正向导通期间的损耗以及转向截止时的反向恢复损耗。 ### 6. 耗散功率约束 **定义**: 器件的最大稳态损耗功率\( P_{D,max} \)应根据器件最大工作结温限制来确定。如果已知器件的工作环境温度，可以按照以下方法估算最大的耗散功率： **公式**: \[ P_{D,max} \leq \frac{T_{J,max} - T_{amb}}{R_{\theta j-a}} \] **注意事项**: - \( R_{\theta j-a} \)表示从结点到工作环境之间的总热阻，包括结点到外壳、外壳到散热器、散热器到环境的热阻。 - 需要考虑任何可能的绝缘材料带来的额外热阻。 - 如果计算结果不符合要求，需调整\( I_D/R_{ON} \)等参数，并重新进行计算，直到\( P_{D,max} \)接近但不超过计算值。 #### 二、损耗组成及计算方法 **定义**: 在没有实际测试波形的情况下，可以通过理论计算来预估MOSFET的工作损耗。MOSFET的工作损耗主要包括导通损耗、截止损耗等部分。 ### 导通损耗\( P_{ON} \) **定义**: 指MOSFET完全开启后，负载电流\( I_{DS(on)}(t) \)在导通电阻\( R_{DS(on)} \)上产生的压降造成的损耗。 **计算公式**: \[ P_{ON} = I_{DS(on)rms}^2 \times R_{DS(on)} \times K \times D_{ON} \] **注意事项**: - \( I_{DS(on)rms} \)是在导通时间内计算的有效值。 - \( R_{DS(on)} \)随工作条件变化，应选择接近实际工作条件的值。 ### 截止损耗\( P_{OFF} \) **定义**: 指MOSFET完全截止后，在漏源电压\( V_{DS(off)} \)作用下产生的漏电流\( I_{DSS} \)造成的损耗。 **计算公式**: \[ P_{OFF} = V_{DS(off)} \times I_{DSS} \] **注意事项**: - 需要计算MOSFET在截止状态下的漏电流，并考虑到工作频率等因素的影响。以上是MOSFET选型时需要考虑的重要知识点，通过对这些关键参数的理解和合理设置，可以有效地提高系统的稳定性和效率。

1. IRF540N D-MOSFET管 - Drain-Source Voltage (Vdss): 100V - Continuous Drain Current (Id): 33A - Total Gate Charge (Qg): 47nC - Gate-Source Voltage (Vgs): ±20V - On-Resistance (Rds): 44mΩ - Package Type: TO-220AB 2. IRLZ44N D-MOSFET管 - Drain-Source Voltage (Vdss): 55V - Continuous Drain Current (Id): 51A - Total Gate Charge (Qg): 16nC - Gate-Source Voltage (Vgs): ±20V - On-Resistance (Rds): 17mΩ - Package Type: TO-220AB 注：以上参数仅供参考，具体参数可能因厂家和批次而有所不同。

阅读全文

选取两款D-MOSFET管的型号并说明它们的产品参数

相关推荐

D类功放MOS管选型

MOS管型号参数大全

基于SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例

电子-常用MOS管型号参数.pdf

V-CURVE选取正则化参数

参考资料-MOS管参数详解及驱动电阻选择.zip

论文研究-基于SA组合算法的SVM参数选取.pdf

为D类放大器选取合适的参数

功率因数校正最佳策略：如何选取合适的MOSFET？

1N型稳压管型号对应参数

木瓜矿10-1022工作面运输巷支护参数选取及支护设计

如何为D类放大器选取合适的参数

煤焦化管式加热炉炉管设计及参数选取的探讨

三相四线并联有源滤波器主电路参数选取研究-综合文档

如何为D类放大器选取合适的参数？

详解如何为D类放大器选取合适的参数

DTK-2H红外辐射烘干炉设计参数的优化选取研究 (1991年)

MOSFET参数及其测试方法.doc

最新推荐

微信小程序-拍照或选择图片并上传文件

并网逆变器LCL滤波器最优参数选取方法

基于D-S证据理论和BP神经网络的齿轮箱故障诊断

整流管尖峰吸收电路探讨

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

MATLAB新功能：Multi-frame ViewRGB制作彩色图阴影

管理建模和仿真的文件

【实战篇：自定义损失函数】：构建独特损失函数解决特定问题，优化模型性能

在Flow-3D中如何根据水利工程的特定需求设定边界条件和进行网格划分，以便准确模拟水流问题？

XKCD Substitutions 3-crx插件：创新的网页文字替换工具