stm32f407内部flash读写

STM32F407内部Flash（通常称为非易失性内存）用于长期存储程序代码和配置数据。尽管它是只读存储器，但在特定情况下可以进行读取操作。要从内部Flash读取数据，如示例所示[^1]：

1. **读取操作**:

   #define FLASH_ADDRESS 0x8000000 // 替换为你想要读取的实际地址
   uint32_t data_address = (uint32_t)FLASH_ADDRESS;
   uint32_t data_value = *(uint32_t*)data_address; // 使用指针来读取32位数据

对于写入操作，内部Flash通常是通过分块擦除的方式来进行的。首先，确定要写入的范围，然后执行擦除，最后写入新数据[^2]：

2. **擦除操作**:
- 对于STM32F407，可能支持不同大小的擦除块，如页擦除或扇区擦除。
- 例如，使用STM32 HAL库中的`HAL_FLASHEx_Erase`函数，指定要擦除的起始地址和大小：

   HAL_StatusTypeDef status;
   uint32_t erase_addr = 0x8000000; // 要擦除的起始地址
   size_t erase_size = FLASH_BANK_SIZE; // 擦除块的大小
   status = HAL_FLASHEx_Erase(&hflash, erase_addr, erase_size);
   if (status != HAL_OK) {
       // 处理错误
   }

- 写入操作通常发生在擦除后，使用`HAL_FLASH_Program`函数。

请注意，这些操作通常在STM32固件库的支持下进行，直接硬件访问可能会导致不稳定或不兼容的问题。务必遵循官方文档和库函数说明。