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时间: 2024-04-04 16:31:54 浏览: 492

以SiHCl3和SiCl4的混合物为原料制备多晶硅热力学 (2014年)

根据相关热力学数据，首先计算并拟合得到Si-Cl-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔比（nCl/nH）与反应达到平衡时的气相Si与Cl原子的摩尔比（nSi/nCl）Eq的关系。为了得到合理的SiCl4 （STC）和SiHCl3 （TCS）的进料配比，详细分析TCS与STC的3种配比（nTCS/nSTC分别为1/4、1和4）时温度、压强以及进料配比对Si沉积率的影响。结果表明：以STC和TCS的混合物为原料时，最佳温度为1400K，压强为0.1MPa。为了保证硅产率达到可工业化生产的35%以上，当原料摩尔比（

这段日志看起来像是一个任务调度系统的注册失败信息。具体来说，它尝试在本地的8090端口上向一个远程的任务调度系统的注册中心注册一个名为"bill-gateway-ceb-master"的执行器，但是出现了连接被拒绝的错误。这可能是由于注册中心的地址或端口不正确，或者本地的防火墙阻止了连接。建议检查注册中心的地址和端口是否正确，并确保本地网络和防火墙配置正确。

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