台积电六厂厂长褚博韬的个人履历

褚博韬，1963年出生于上海，1985年毕业于上海交通大学电机系，获学士学位；1990年获美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校电机与计算机工程硕士学位；1996年获美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校电机与计算机工程博士学位。

1996年加入英特尔公司，历任芯片设计工程师、首席工程师、技术总监等职务，负责多项先进芯片的设计与研发工作。2007年加入台积电，在南京、台湾等地担任过多个职务，包括副总经理、副总裁等，2015年担任台积电六厂厂长至今。

褚博韬在芯片设计和制造领域拥有丰富的经验和深厚的技术功底，曾获得多项专利和荣誉，是业内知名的技术专家和领袖人物。他的领导和管理能力也备受肯定，为台积电六厂的发展做出了重要贡献。

相关问题

台积电0.18微米工艺库

根据提供的引用内容，无法得知台积电0.18微米工艺库的具体信息。但是可以了解到台＊＊＊圆。此外，东部高科的Fab 1也以0.15到0.35微米级技术为基础，主要生产尖端系统半导体，可能也涉及到0.18微米工艺。中芯国际上海的晶圆厂也生产0.35µm~90nm的晶圆，可能也有相关的工艺库。总之，台积电和其他半导体公司都在不断推进工艺技术的发展，以满足市场需求。

台积电28nm库命名规则

台积电的28纳米库命名规则通常遵循以下方式：

1. 库名的前缀：一般以"TT"开头，代表台积电（TSMC）的缩写。
2. 代号：接着是一个字母或数字的代号，用来标识该库的特定版本或系列。
3. 技术代号：接下来是一个技术代号，用来表示该库所属的制程工艺。在28纳米制程中，常见的技术代号有HP（高性能）、LP（低功耗）以及ULP（超低功耗）等。
4. 版本号：最后是一个版本号，用来标识该库的具体版本。一般以大写字母或数字来表示。

举例来说，一个28纳米制程下的高性能库可能被命名为"TT_HP_v1.0"，其中"TT"表示台积电，"HP"表示高性能，"v1.0"表示该库的第一个版本。不同的库可能会有不同的命名规则，但一般都会包含这些基本要素。