直流电流放大系数为180的三极管倒置状态的直流电流放大系数

三极管倒置状态的直流电流放大系数也被称为反向放大系数，通常用符号hfe表示。它的值取决于具体的三极管型号和工作条件，通常在几百到上千之间。

但是如果你已知一个三极管的直流电流放大系数hfe和其倒置状态的反向放大系数hre，你可以用以下公式计算其直流电流放大系数：

hfe = hre / (1 - hre)

其中hre通常很小，可以近似为0，因此hfe约等于1 / (1 - hre)。如果hre为0.005，那么hfe约等于180。

相关问题

共射直流电流放大系数公式推导

共射极直流电流放大系数（β）是晶体管作为放大电路的基本参数之一，它描述了输入信号对输出电流的影响程度。在共射电路中，它是基极电流Ib与集电极电流IC之间的比例，但在静态分析中，由于发射结的电压变化很小，可以近似认为是常数，所以我们可以采用线性关系来简化计算。

共射电路的β值通常是通过以下假设和步骤得出的：

1. **忽略动态电阻**：我们通常假设三极管处于饱和状态，即发射结正偏，使得发射结的反向电流非常小，动态电阻可以忽略。

2. **基区电流模型**：根据基区电流公式，Ic = β * Ib，其中Ib是基极注入的电流，Ic是集电极流出的电流。

3. **理想条件下的β**：在理想的条件下，β值等于集电极和发射极之间的电流增益，即无负载时，当Ib增加一倍，Ic也增加一倍。

4. **实际计算**：在实际应用中，由于存在发射极电阻Re和温度影响，β可能会有所下降，这是由温度漂移、噪声和其他因素造成的。但是，在简单计算中，我们通常取β为一个恒定值，对于硅管约为100到200，锗管约为50到200。

**公式推导**：
如果忽略所有非线性和动态效应，β的简单公式就是：
\[ \beta = \frac{\Delta I_c}{\Delta I_b} \]
在这个公式中，ΔIc表示集电极电流的变化，而ΔIb表示基极电流的变化。

如何解释半导体中电流放大系数与温度之间的关系？

在半导体器件如三极管中，电流放大系数（β）是指基极电流对集电极电流的控制能力，即β=ΔIc/ΔIb。在实际应用中，温度对三极管的放大作用有显著影响。随着温度的升高，半导体材料中的热激发效应增强，导致更多的电子-空穴对产生，从而使少数载流子（自由电子或空穴）的数量增加。因此，基极-发射极之间的正向偏置会导致更多的载流子注入到基极，而集电极-基极之间的反向偏置会导致更多的少数载流子在集电极中收集，从而增加了集电极电流Ic。因此，温度的上升通常会导致电流放大系数β值的增加。此外，温度的升高还会导致晶体管的反向饱和电流增大，进而影响到晶体管的放大能力。在设计和使用半导体器件时，必须考虑到温度的影响，并采取相应的措施来稳定器件性能或在电路中进行适当的补偿。

参考资源链接：[模拟电路考试重点：判断、选择与填空解析](https://wenku.csdn.net/doc/4jvtdrut11?spm=1055.2569.3001.10343)