E/E 非饱和负载 NMOS 反相器，负载晶体管栅压 VGG = 1.5VDD，分析反相器输出高、低 电平分别为多少。

根据 E/E 非饱和负载 NMOS 反相器的电路图，可以得到以下推导：

1. 当输入信号 Vin 为高电平时，NMOS 管子导通，输出电压 Vo 接近于地，但是负载晶体管处于截止状态，此时输出电压 Vo 为高电平，即 Vo = VDD。

2. 当输入信号 Vin 为低电平时，NMOS 管子截止，输出电压 Vo 取决于负载晶体管的状态。根据负载晶体管栅压 VGG = 1.5VDD，可以判断负载晶体管工作于放大区，即输出电压 Vo 接近于地，此时 Vo = 0。

因此，该反相器的输出高、低电平分别为 Vo = VDD 和 Vo = 0。