STM32F103使用内部Flash保存参数
时间: 2024-02-03 21:15:08 浏览: 30
在STM32F103系列芯片中,内部Flash可用于存储非易失性数据,例如配置参数、校准值等。以下是使用内部Flash保存参数的一般步骤:
1. 定义一个结构体来存储需要保存的参数。
```c
typedef struct {
uint32_t parameter1;
uint32_t parameter2;
// ...
} ParameterTypeDef;
```
2. 定义一个指针变量,指向Flash中存储参数的起始地址。
```c
#define PARAMETER_ADDRESS 0x0800F800 // 定义Flash地址,最后一页
ParameterTypeDef *parameter = (ParameterTypeDef *)PARAMETER_ADDRESS;
```
3. 在初始化时读取Flash中存储的参数。
```c
void Init(void) {
// 读取Flash中保存的参数
if (FLASH_OB_GetUser() == 0xFFFFFFFF) {
// 第一次运行,参数未存储
parameter->parameter1 = DEFAULT_PARAMETER1;
parameter->parameter2 = DEFAULT_PARAMETER2;
// ...
SaveParameter();
}
else {
// 参数已存储,从Flash中读取
memcpy(parameter, (void *)PARAMETER_ADDRESS, sizeof(ParameterTypeDef));
}
}
```
4. 在需要更新参数时,先更新结构体中的值,然后保存到Flash中。
```c
void UpdateParameter(uint32_t newParameter1, uint32_t newParameter2) {
parameter->parameter1 = newParameter1;
parameter->parameter2 = newParameter2;
// ...
SaveParameter();
}
```
5. 参数保存到Flash的函数。
```c
void SaveParameter(void) {
// 禁止全局中断
__disable_irq();
// 解锁Flash并擦除最后一页
FLASH_Unlock();
FLASH_ErasePage(PARAMETER_ADDRESS);
// 写入参数到Flash
uint32_t *p = (uint32_t *)parameter;
for (uint32_t i = 0; i < sizeof(ParameterTypeDef) / 4; i++) {
FLASH_ProgramWord(PARAMETER_ADDRESS + i * 4, *(p + i));
}
// 锁定Flash
FLASH_Lock();
// 使能全局中断
__enable_irq();
}
```
需要注意的是,使用内部Flash存储参数时,需要考虑Flash的擦写次数限制,因此应尽量避免频繁的更新操作。