比irf840耐压更高的nmos 管

时间: 2023-11-16 19:42:53 浏览: 36
有许多比IRF840耐压更高的N-MOS管,以下是一些常见的: 1. STP36NF06L:600V的N-MOS管,具有最大持续电流为30A。 2. FQP47P06:60V的N-MOS管,具有最大持续电流为47A。 3. IXFN360N10T2:1000V的N-MOS管,具有最大持续电流为360A。 4. FDBL0150N100:1000V的N-MOS管,具有最大持续电流为150A。 需要根据具体应用来选择合适的N-MOS管。
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MOSFET型号IRF3205、IRF540、IRF640、IRF740、IRF840的说明书

IRF3205: IRF3205是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于低频功率放大和开关应用。它具有低导通电阻、高斯承受电压和快速开关特性。IRF3205的最大承受电压为55V,最大漏电流为250uA,导通电阻为8mΩ。其封装形式为TO-220AB。 IRF540: IRF540是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于低频功率放大和开关应用。它具有低导通电阻、高斯承受电压和快速开关特性。IRF540的最大承受电压为100V,最大漏电流为250uA,导通电阻为44mΩ。其封装形式为TO-220AB。 IRF640: IRF640是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于低频功率放大和开关应用。它具有低导通电阻、高斯承受电压和快速开关特性。IRF640的最大承受电压为200V,最大漏电流为250uA,导通电阻为0.18Ω。其封装形式为TO-220AB。 IRF740: IRF740是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于低频功率放大和开关应用。它具有低导通电阻、高斯承受电压和快速开关特性。IRF740的最大承受电压为400V,最大漏电流为1mA,导通电阻为0.55Ω。其封装形式为TO-220AB。 IRF840: IRF840是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于低频功率放大和开关应用。它具有低导通电阻、高斯承受电压和快速开关特性。IRF840的最大承受电压为500V,最大漏电流为1mA,导通电阻为0.85Ω。其封装形式为TO-220AB。

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