uint8_t buff[16] = {0}; void fun(uint8_t *data){data=buff;}
时间: 2024-06-05 14:12:32 浏览: 93
这段代码定义了一个长度为16的无符号8位整型数组 `buff`,并且定义了一个名为 `fun` 的函数,该函数的参数是一个指向无符号8位整型数据的指针 `data`。在函数内部,将 `data` 指向 `buff` 的首地址。但是,这样并不会改变 `buff` 数组本身的值,因为在函数中只是修改了指针 `data` 的指向,并没有改变 `buff` 数组的内容。如果要修改 `buff` 数组的值,可以使用指针来操作数组元素,例如 `*data = 1` 来修改数组第一个元素的值为1。
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利用C语言编写从HP303S中通过IIC从地址为0X10-0X21的寄存器中读取校验值内容,函数名为I2C_Read_Reg8_Bytes(uint8_t ch,uint8_t addr,uint8_t reg,uint8_t *buff,uint8_t len);
以下是利用C语言编写从HP303S中通过IIC从地址为0X10-0X21的寄存器中读取校验值内容的代码,函数名为I2C_Read_Reg8_Bytes(uint8_t ch,uint8_t addr,uint8_t reg,uint8_t *buff,uint8_t len):
```c
#include "IIC.h"
#define HP303S_ADDR 0xEC // HP303S的IIC地址
// 从HP303S中读取指定寄存器的内容
uint8_t I2C_Read_Reg8_Bytes(uint8_t ch, uint8_t addr, uint8_t reg, uint8_t *buff, uint8_t len)
{
uint8_t i;
uint8_t ret = 0;
uint8_t reg_addr = reg;
uint8_t read_data[32] = {0};
// 发送IIC起始信号
IIC_Start();
// 发送IIC设备地址和写命令
IIC_Send_Byte(HP303S_ADDR << 1 | 0x00);
// 等待应答信号
if (IIC_Wait_Ack() == 0)
{
ret = 1;
goto I2C_Read_Reg8_Bytes_Exit;
}
// 发送寄存器地址
IIC_Send_Byte(reg_addr);
// 等待应答信号
if (IIC_Wait_Ack() == 0)
{
ret = 2;
goto I2C_Read_Reg8_Bytes_Exit;
}
// 发送IIC起始信号
IIC_Start();
// 发送IIC设备地址和读命令
IIC_Send_Byte(HP303S_ADDR << 1 | 0x01);
// 等待应答信号
if (IIC_Wait_Ack() == 0)
{
ret = 3;
goto I2C_Read_Reg8_Bytes_Exit;
}
// 读取数据
for (i = 0; i < len; i++)
{
if (i == len - 1)
{
read_data[i] = IIC_Read_Byte(0);
}
else
{
read_data[i] = IIC_Read_Byte(1);
}
}
// 发送IIC停止信号
IIC_Stop();
// 将读取到的数据拷贝到输出缓冲区
memcpy(buff, read_data, len);
I2C_Read_Reg8_Bytes_Exit:
return ret;
}
```
给我一个demo 我需要用spiflash模拟eeprom flash每个扇区4KB 我要用前4个扇区模拟16KB的eeprom 提供的函数如下 void spi_flash_buffer_read(uint8_t* pbuffer, uint32_t read_addr, uint16_t num_byte_to_read)flash读取函数 u8 eraseFlashOneSector(u32 sectorNum)扇区擦除函数 void spi_flash_buffer_write(uint8_t* pbuffer, uint32_t write_addr, uint16_t num_byte_to_write)flash写函数。需要实现的函数u8 EEPROM_Write_NBytes(u16 Addr,u8 *Write_Buff,u16 len) 从eeprom写入n个字节 要求考虑到flash的扇区翻页
这是一个简单的示例代码,演示如何使用 spi_flash_buffer_read、eraseFlashOneSector 和 spi_flash_buffer_write 函数来模拟 EEPROM 的读写操作,并考虑到 Flash 的扇区翻页。请注意,以下代码仅用于演示目的,实际应用可能需要进行适当的修改和优化。
```c
#include <stdint.h>
#define SECTOR_SIZE 4096
#define EEPROM_SIZE 16384
// 读取数据
void spi_flash_buffer_read(uint8_t* pbuffer, uint32_t read_addr, uint16_t num_byte_to_read) {
// 实现 flash 读取逻辑
}
// 擦除扇区
uint8_t eraseFlashOneSector(uint32_t sectorNum) {
// 实现扇区擦除逻辑
}
// 写入数据
void spi_flash_buffer_write(uint8_t* pbuffer, uint32_t write_addr, uint16_t num_byte_to_write) {
// 实现 flash 写入逻辑
}
// EEPROM 写入 n 个字节
uint8_t EEPROM_Write_NBytes(uint16_t Addr, uint8_t *Write_Buff, uint16_t len) {
uint8_t sectorNum = Addr / SECTOR_SIZE; // 计算扇区号
uint16_t offset = Addr % SECTOR_SIZE; // 计算偏移量
// 判断写入数据是否跨越多个扇区
if (offset + len > SECTOR_SIZE) {
// 需要跨越多个扇区,进行扇区翻页操作
uint16_t remainingBytes = len; // 剩余待写入字节数
uint8_t* dataPtr = Write_Buff; // 待写入数据的指针
while (remainingBytes > 0) {
// 擦除当前扇区
if (eraseFlashOneSector(sectorNum) != 0) {
return 0; // 擦除失败
}
// 计算本次写入的字节数
uint16_t writeBytes = SECTOR_SIZE - offset;
if (writeBytes > remainingBytes) {
writeBytes = remainingBytes;
}
// 写入数据
spi_flash_buffer_write(dataPtr, sectorNum * SECTOR_SIZE + offset, writeBytes);
dataPtr += writeBytes; // 更新数据指针
remainingBytes -= writeBytes; // 更新剩余字节数
sectorNum++; // 更新扇区号
offset = 0; // 设置偏移量为 0,因为已经跳到下一个扇区的起始位置
}
}
else {
// 数据不跨越扇区,直接写入即可
spi_flash_buffer_write(Write_Buff, Addr, len);
}
return 1; // 写入成功
}
int main() {
// 示例用法
uint8_t eepromData[EEPROM_SIZE]; // 模拟 EEPROM 数据
// 写入数据到 EEPROM
uint8_t writeData[] = {0x01, 0x02, 0x03};
EEPROM_Write_NBytes(0, writeData, sizeof(writeData));
// 从 EEPROM 读取数据
uint8_t readData[3];
spi_flash_buffer_read(readData, 0, sizeof(readData));
return 0;
}
```
请根据实际情况修改函数的参数和返回值类型,并根据所使用的 Flash 设备的具体规格来实现对应的读写和擦除操作。这只是一个简单的示例,可能需要根据你的具体需求进行修改和优化。
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