怎么理解局部有源忆阻器的局部有源
时间: 2024-03-14 20:24:55 浏览: 15
局部有源忆阻器是一种电路元件,它由一个有源元件(如晶体管)和一个电容或电感组成。有源元件能够通过控制电容或电感的电流和电压来控制电路的阻抗或电感值,从而实现记忆和变换电路的功能。局部有源忆阻器中的“局部有源”指的是有源元件只控制电容或电感的一部分,而不是整个电容或电感。这种局部控制能够让电路具有更高的灵活性和可调性。
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局部有源忆阻一阶周期电路
局部有源忆阻一阶周期电路是一种基本的电路,由一个有源电阻器和一个电容器组成。其中,有源电阻器是一种特殊的电阻器,它可以通过电压控制电阻值,从而实现电路的记忆功能。这种电路可以用于周期信号的滤波和延迟等应用。
下图是局部有源忆阻一阶周期电路的电路图:
![image](https://user-images.githubusercontent.com/44451116/114691829-9d5a8b00-9d48-11eb-9fda-6e45a8a9e7c6.png)
其中,R是有源电阻器的电阻值,C是电容器的电容值,Vin是输入信号,Vout是输出信号。有源电阻器的电阻值可以表示为:
```
R = Ro * (1 + β * Vout)
```
其中,Ro是有源电阻器的基准电阻值,β是电阻器的控制系数,Vout是输出信号的电压。
根据基尔霍夫电压定律,可以得到:
```
Vin = Vout + L * dI/dt
```
其中,L是电路中的电感值,I是电路中的电流。假设输入信号为周期信号,频率为f,则可以将输入信号表示为:
```
Vin = Vp * sin(2πft)
```
其中,Vp是输入信号的幅值,t是时间。
将上述两个公式代入基尔霍夫电压定律的式子中,可以得到:
```
Vp * sin(2πft) = Vout + L * dI/dt
```
对上式两边同时求导数,可以得到:
```
2πfVp * cos(2πft) = dVout/dt + L * d^2I/dt^2
```
将有源电阻器的电阻值代入电流的表达式中,可以得到:
```
I = Vout / (Ro * (1 + β * Vout))
```
将上式代入上式的左边,可以得到:
```
2πfVp * cos(2πft) = dVout/dt + L * dVout/dt * β / (Ro * (1 + β * Vout))^2 + L * Vout / (Ro * (1 + β * Vout))^2 * dVout/dt
```
将上式整理,可以得到:
```
dVout/dt + R1 * Vout = R2 * cos(2πft)
```
其中,R1和R2是一些常数,可以表示为:
```
R1 = L / (Ro * (1 + β * Vout))
R2 = 2πfLβVp / (Ro * (1 + β * Vout))^2
```
这个式子是局部有源忆阻一阶周期电路的微分方程,可以用来描述电路的行为。该电路的特点是具有记忆功能,输出信号的电阻值是由输入信号和输出信号的电压值共同决定的。
局部有源忆阻二阶周期电路matlab仿真
局部有源忆阻二阶周期电路可以使用Matlab进行仿真,以下是一个简单的实例:
```matlab
% 定义电路参数
R1 = 1e3; % 电阻1
R2 = 2e3; % 电阻2
C1 = 1e-6; % 电容1
C2 = 0.5e-6; % 电容2
alpha = 0.99; % 增益因子
beta = 0.5; % 非线性因子
gamma = 0.5; % 忆阻器系数
% 定义初始电压和电荷
v1 = 0;
v2 = 0;
q1 = 0;
q2 = 0;
% 定义仿真时间和时间步长
t = 0:0.01e-3:1e-3;
dt = t(2) - t(1);
% 计算输出电压
vout = zeros(size(t));
for i = 1:length(t)
% 计算电容电压
vC1 = q1 / C1;
vC2 = q2 / C2;
% 计算忆阻器电阻
Rm = R2 + gamma * q2;
% 计算电流和电压
iin = (v1 - alpha * v2) / R1;
iRm = beta * iin + (vC1 - vC2) / Rm;
vout(i) = iRm * R2;
% 更新电荷
q1 = q1 + iin * dt;
q2 = q2 + iRm * dt;
% 更新电压
v1 = vC1 + alpha * vout(i);
v2 = vC2 + vout(i);
end
% 绘制输出电压随时间的变化图像
plot(t, vout);
xlabel('Time (s)');
ylabel('Output Voltage (V)');
title('Simulation of Local Active Memristor Circuit');
```
在上述代码中,我们首先定义了局部有源忆阻二阶周期电路的参数,包括电阻、电容、增益因子、非线性因子和忆阻器系数。然后,我们定义了初始电压和电荷,并进行了仿真时间和时间步长的定义。接下来,我们使用一个循环计算电路的输出电压,并更新电荷和电压的值。最后,我们使用Matlab的绘图功能绘制了输出电压随时间的变化图像。
需要注意的是,上述代码仅仅是一个简单的示例,实际的局部有源忆阻二阶周期电路可能会更加复杂,需要根据具体情况进行参数和模型的选择,并进行更加详细的仿真计算。