首页void ChipErase(void) { *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + 0x5555) = 0x8080; *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + 0x5555) = 0x1010; }解释CCS代码

void ChipErase(void) { (FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; (FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; (FlashStart + 0x5555) = 0x8080; (FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; (FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; (FlashStart + 0x5555) = 0x1010; }解释CCS代码

时间: 2024-04-07 12:32:11 浏览: 123

DSP 28335 NOR_FLASH擦写实验程序外部flash 39VF400A

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// Definitions for the SST 39VF400A part #define SST_ID 0x00BF /* SST Manufacturer's ID code */ #define SST_39VF400A 0x2780 /* SST39VF400/SST39VF400A device code */ #define SST_39VF800A 0x2781 /* SST39VF800/SST39VF800A device code */ #define TimeOutErr 1 #define VerifyErr 2 #define WriteOK 0 #define EraseErr 3 #define EraseOK 0 #define SectorSize 0x800 #define BlockSize 0x8000 unsigned int *FlashStart = (unsigned int *)0x100000;//RAML6 unsigned int *DSPRamStart = (unsigned int *)0x00F000; //RAML6前半部分 unsigned int *DSPRamStart2 = (unsigned int *)0x00F800; //RAML6的后半部分

这段代码是在进行Flash的整片擦除操作，下面是每行代码的解释： 1. `*(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA;` 将FlashStart地址加上0x5555的偏移量，写入0xAAAA，这是进行整片擦除的第一步。 2. `*(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555;` 将FlashStart地址加上0x2AAA的偏移量，写入0x5555，这是进行整片擦除的第二步。 3. `*(FlashStart + 0x5555) = 0x8080;` 将FlashStart地址加上0x5555的偏移量，写入0x8080，这是进行整片擦除的第三步。 4. `*(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA;` 将FlashStart地址加上0x5555的偏移量，写入0xAAAA，这是进行整片擦除的第四步。 5. `*(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555;` 将FlashStart地址加上0x2AAA的偏移量，写入0x5555，这是进行整片擦除的第五步。 6. `*(FlashStart + 0x5555) = 0x1010;` 将FlashStart地址加上0x5555的偏移量，写入0x1010，这是进行整片擦除的最后一步。整片擦除是将整个Flash芯片中的数据全部擦除，由于需要擦除的数据量比较大，因此整片擦除的时间比较长，一般需要几秒钟到几分钟不等。

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