VDMOS的结构与机理
时间: 2024-05-18 19:12:40 浏览: 299
VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)是一种常见的功率MOSFET器件,被广泛应用于电力电子和集成电路中。VDMOS结构与机理如下:
VDMOS器件的结构与常规MOSFET相似,但具有双扩散区结构。它包括一个PN结和一个MOS结,整个结构都在一个P型衬底中。上部为N型漏极区,下部为N+型源极区,中间为P型沟道区和P+型扩散区。扩散区与沟道区之间形成PN结,形成垂直导通结构,电子从N+型源极区注入,经过P型沟道区进入N型漏极区。
VDMOS器件的工作原理与MOSFET相似,但由于其双扩散区结构,具有更低的电阻和更高的击穿电压。在导通状态下,电子从源极进入沟道区,经过扩散区进入漏极区,形成电流通路。在截止状态下,沟道区被P型区域控制,形成一个绝缘层,电流无法通过。
总的来说,VDMOS器件具有高电压、高速度、低电阻、高可靠性等优点,被广泛应用于功率电子领域。
相关问题
vdmos与ldmos对比
VD-MOS和LD-MOS是两种常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,它们在电路应用中有一些区别。
VD-MOS(Vertical Double-diffused MOSFET)是一种垂直双扩散型MOSFET结构。它的主要特点是具有高电压操作能力和低电阻特性。VD-MOS的结构使得它能够承受高电压,适用于高压电路应用,比如电力转换和工业控制领域。此外,VD-MOS还具有低电阻特性,可以承受大电流。这使得VD-MOS在高功率应用中表现出色,如电动汽车和太阳能逆变器。
LD-MOS(Lateral Double-diffused MOSFET)是一种横向双扩散型MOSFET结构。它的特点是具有高集成度和低电容。相比于VD-MOS,LD-MOS的电阻相对较高。因此,LD-MOS主要适用于集成电路设计中,如通信设备和计算机芯片。由于LD-MOS的结构设计,它具有较低的电容,这有助于提高开关速度和降低功耗。
总体上来说,VD-MOS适用于高电压和大功率应用,而LD-MOS适用于高集成度和低功耗应用。这两种MOSFET结构在不同的电路设计中有不同的用途和特点,因此在实际应用中需要根据具体需求选取合适的MOSFET结构。
高压超结VDMOS中Qgd与Qrr有制约关系吗
回答:高压超结VDMOS中Qgd与Qrr有制约关系,因为Qgd和Qrr都是超结VDMOS的关键参数,Qgd是门极驱动电荷,Qrr是反向恢复电荷,它们的大小会影响器件的开关速度和反向恢复能力,因此在设计超结VDMOS时需要综合考虑它们的大小关系。
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