磷化銦中產生的電子—電洞對的刺激光源最大波長
时间: 2023-10-21 20:05:23 浏览: 20
磷化铟中产生的电子-电洞对的刺激光源最大波长大约是1.35微米。这是由于磷化铟的能隙约为0.74电子伏特,相应的波长为1.68微米。然而,由于热激发和其他效应的影响,实际上磷化铟材料的最大刺激波长略小于1.68微米,通常为1.35微米左右。磷化铟也被广泛应用于制造半导体激光器,例如用于医疗、材料加工和光通信等领域。
相关问题
】铁碳合金相图中的组元有什么,相有什么
铁碳合金相图中的组元为铁和碳,在不同的温度和压力下,铁和碳会形成不同的相,如:
1. 铁素体相(α-Fe):含有少量的碳,具有面心立方结构,是最稳定的铁碳相,在室温下存在。
2. 贝氏体相(β-Fe):含有更多的碳,具有体心立方结构,是在高温下形成的相,具有较高的强度和硬度。
3. 马氏体相(Martensite):是在快速冷却铁碳合金时形成的相,具有强韧性和弹性,主要成分为α-Fe和碳的固溶体。
4. 渗碳体相(Cementite):磷化铁,富含碳,具有正交晶系,在低碳铁中很少出现。
5. 奥氏体相(Austenite):在高温下形成的铁碳相,主要成分为固溶的铁和碳,是热处理的重要组织结构。
gaas inp sic sige
GaAs(镓砷化物)、InP(磷化铟)、SiC(碳化硅)和SiGe(锗硅)都是半导体材料。
GaAs是一种III-V族化合物半导体材料,由镓和砷组成。它的电子迁移率高,具有良好的高频性能和快速开关特性,广泛应用于无线通信、光电子、微波和太阳能电池等领域。
InP是一种III-V族化合物半导体材料,由铟和磷组成。它具有较高的迁移率和较小的暗电流,可实现高速、高频率的电子器件制备,被广泛应用于光电子器件和高效能源器件领域。
SiC是一种宽禁带半导体材料,由硅和碳组成。它具有优异的热导率、高耐温性和高击穿电压,能够在高温、高电压环境下稳定工作,广泛应用于功率电子器件、高温传感器和蓝光光电器件等领域。
SiGe是一种合金材料,由硅和锗组成。它拥有介于硅和锗之间的晶格匹配性,可以用于制备高移动性杂质电子晶体管,广泛应用于通信、密集集成电路和射频器件等领域。
综上所述,GaAs、InP、SiC和SiGe是四种重要的半导体材料,各自具有独特的特性和应用领域,在现代电子技术和光电子学等领域中发挥着重要作用。