Abstract—This article presents quick analytical prediction meth- ods of switching loss, turn-ON/OFF overvoltage, di/dt, and dv/dt for SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor based on device datasheet. First, the switching process is analyzed and the simplification principles are discussed based on charge con- servation and flux conservation. Second, the analytical equations of switching loss, turn-ON/OFF overvoltage, di/dt, and dv/dt are derived. Third, experimental results under different operating con- ditions are presented to validate the proposed methods. It is found that the average prediction error is 10.11%. Finally, relationships between switching performance and different parameters, such as parasitic capacitance, parasitic inductance, dc-voltage, and load current, are analyzed and summarized based on the proposed prediction methods.请将这一段进行以下要求，Move analysis 语步（内容成分）分析； Language devices和实现该功能的语言手段（某些关键专有名词提供汉语翻译）

Move analysis:

该段落为一篇论文的摘要，主要介绍了基于器件数据手册的SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管的快速分析预测方法。首先，对开关过程进行了分析，并基于电荷守恒和通量守恒原则讨论了简化原则。其次，推导了开关损耗、开关过压、di/dt和dv/dt的分析方程式。第三，提供了不同工作条件下的实验结果来验证所提出的方法。发现平均预测误差为10.11%。最后，基于所提出的预测方法，分析和总结了开关性能与不同参数（例如寄生电容、寄生电感、直流电压和负载电流）之间的关系。

Language devices:

- 该段落使用了较为专业的术语和专有名词，如SiC、metal-oxide-semiconductor field-effect transistor等，用以准确描述论文的研究对象和内容。
- 使用了一些分析性的语言手段，如分析、讨论、推导、验证、分析和总结，突出了论文的研究方法和成果。
- 使用了一些形容词和副词，如快速、简化、不同等，用以修饰和描述所提出的方法和实验结果。

实现该功能的语言手段：

- 使用了专业术语和专有名词，准确描述研究对象和内容。
- 使用了分析性的语言手段，如分析、讨论、推导、验证、分析和总结，突出了研究方法和成果。
- 使用了形容词和副词，用以修饰和描述所提出的方法和实验结果。