如何使用C51的EEPROM

C51的EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写的ROM，可以在程序运行时对其进行读写操作。下面是使用C51的EEPROM的基本步骤：

1. 定义EEPROM地址变量：使用特殊的关键字__data和__at，将变量存储在EEPROM中的特定地址上。例如：

__data __at (0x1000) unsigned char eeprom_data;

这个语句定义了一个名为eeprom_data的unsigned char类型变量，将其存储在EEPROM的地址0x1000上。

2. 读写EEPROM：使用特殊的函数读写EEPROM，例如：

unsigned char read_eeprom(unsigned int address);
void write_eeprom(unsigned int address, unsigned char value);

read_eeprom函数从指定地址读取一个字节的数据，write_eeprom函数向指定地址写入一个字节的数据。例如：

unsigned char data = read_eeprom(0x1000); // 从EEPROM地址0x1000读取一个字节的数据
write_eeprom(0x1000, 0x55); // 向EEPROM地址0x1000写入一个字节的数据0x55

需要注意的是，每次写入EEPROM之前，必须将EA（全局中断允许位）和FLASHCON（Flash控制寄存器）的EEMWE（EEPROM写允许位）设置为1，然后再将FLASHCON的EEWE（EEPROM写使能位）设置为1，以启动EEPROM的写操作。例如：

EA = 0; // 禁止全局中断
FLASHCON |= 0x02; // 设置EEMWE为1
eeprom_data = 0x55; // 向EEPROM写入一个字节的数据
FLASHCON |= 0x01; // 设置EEWE为1，启动EEPROM的写操作
while (FLASHCON & 0x01); // 等待EEPROM写操作完成
EA = 1; // 允许全局中断

以上就是使用C51的EEPROM的基本步骤。需要注意的是，EEPROM的寿命是有限的，频繁地进行读写操作会缩短EEPROM的使用寿命。因此，在使用EEPROM时，需要谨慎考虑读写操作的频率。