stm32f411清除缓存数据代码

在STM32F411芯片上清除缓存数据的代码如下：

// 定义清除缓存函数
void flush_cache(void)
{
    // 禁用数据缓存和预取指令
    SCB_DisableDCache(); 
    SCB_DisableICache();

    // 清除数据缓存和预取指令
    SCB_InvalidateDCache(); 
    SCB_InvalidateICache();

    // 使能数据缓存和预取指令
    SCB_EnableDCache();
    SCB_EnableICache();
}

该函数首先禁用数据缓存和预取指令，然后使用`SCB_InvalidateDCache()`和`SCB_InvalidateICache()`函数清除数据缓存和预取指令，最后再启用数据缓存和预取指令。这样可以确保缓存数据被清除并且不会影响后续程序的执行。

相关问题

stm32f411ceu6清除缓存数据

在STM32F411CEU6芯片中，只有一级缓存（即I-Cache），并且它是直接映射的。要清除I-Cache数据，可以使用以下方法：

1. 禁用I-Cache
可以通过设置位0（CEN）来禁用I-Cache，该位位于FLASH_ACR寄存器中。

FLASH->ACR &= ~FLASH_ACR_ICEN; // 禁用I-Cache

2. 清除I-Cache
可以使用以下代码将I-Cache中的所有数据清除。

SCB_InvalidateICache();

3. 重新启用I-Cache
可以通过设置位0（CEN）来重新启用I-Cache，该位位于FLASH_ACR寄存器中。

FLASH->ACR |= FLASH_ACR_ICEN; // 启用I-Cache

需要注意的是，如果在执行上述操作时，程序正在使用缓存中的数据，则这些数据可能会失效，从而导致意外的结果。因此，在清除缓存数据之前，应该确保程序不再使用这些数据。

STM32F411使缓存地址无效的代码

在STM32F411系列的芯片中，缓存是通过Flash预取机制实现的，可以通过设置Flash控制器的ACR寄存器来控制缓存的开启和关闭。

要使缓存地址无效，可以通过以下代码实现：

FLASH->ACR &= ~(FLASH_ACR_ICEN | FLASH_ACR_DCEN); // 关闭指令和数据缓存
FLASH->ACR |= FLASH_ACR_ICRST | FLASH_ACR_DCRST; // 清除指令和数据缓存

其中，`FLASH_ACR_ICEN`和`FLASH_ACR_DCEN`位分别表示指令和数据缓存的使能位，设置为0则关闭缓存；`FLASH_ACR_ICRST`和`FLASH_ACR_DCRST`位分别表示指令和数据缓存的清除位，设置为1则清除缓存。