如何提高FLASH的擦写次数
FLASH擦写次数优化技术 在实际应用中,FLASH存储器是非常常用的存储设备,然而,FLASH擦写次数的限制是制约其应用的主要瓶颈。为了提高FLASH的擦写次数,本文将讨论如何利用FLASH模拟EEPROM的存储技术,以提高存储器的使用寿命。 FLASH擦写次数的限制 FLASH存储器的擦写次数是有限的,典型值为1000次左右。这种限制使得FLASH在实际应用中往往需要采取特殊的存储策略,以提高存储器的使用寿命。例如,在某些应用场合,需要达到1万次的擦写次数,这样就需要采用“空间换时间”的方法来提高擦写次数。 “空间换时间”的方法 所谓“空间换时间”,是指利用相对多的代码空间来换取相对多的擦写时间(次数)。这种方法可以将数据写入FLASH中,并在一页内依次写入数据块,当写满一页后,再全部擦除。例如,存储32字节的数据块,一页就可以写16个数据块,写满后再全部擦除,这样该页的擦写次数就可以提高15倍。 软件实现方法 在实现“空间换时间”的方法时,需要选取数据块中的某一字节作为地址INDEX,更新数据时第一个写入FLASH,该字节必须满足任何时候都不能为FFH,否则会发生错误。具体的实现步骤如下: (1)保存数据:每次保存数据时,从低地址到高地址依次(以32为步进)判断INDEX的内容。如果为FFH,表示该地址空间未写过数据,写入需要更新的数据;如果不为FFH,表示该地址空间已写过数据,继续查询;如果所有的INDEX(16个)都不为FFH,表示该页已经写满,执行擦除指令后从首地址写入数据。 (2)读取数据:每次读取数据时,从高地址到低地址依次(以32为步进)判断INDEX的内容,这是为了查询到最新的数据。如果不为FFH,表示该地址已写过数据,读取数据;如果所有的INDEX(16个)都为FFH,表示该页还未写入数据。 FLASH写操作的特性 FLASH写操作有其特殊的特性,即只能将‘1’写成‘0’,而不能将‘0’写成‘1’。根据这个特性,我们可以将每个字节写8次,每次写1比特为‘0’。例如,第一次写第0位为‘0’,第二次写第1位为‘0’,……,第八次写第7位为‘0’。在实际应用中,也可以利用该特性,来获取更多的擦写次数。 结论 FLASH擦写次数的限制是制约其应用的主要瓶颈。但是,通过采用“空间换时间”的方法和利用FLASH写操作的特性,我们可以提高FLASH的擦写次数,延长存储器的使用寿命。