stm32擦写flash

STM32的Flash可以模拟EEPROM的功能。在STM32中，Flash的每个扇区都可以被分为多个页，每个页的大小为1KB或2KB。通过在Flash中分配一个或多个页来模拟EEPROM的功能。可以使用HAL库或标准库中的函数来读写Flash中的数据，从而实现EEPROM的读写操作。需要注意的是，Flash的写入次数有限，因此在使用Flash模拟EEPROM时需要注意数据的写入次数，以避免Flash的损坏。

相关问题

STM32G4 Flash擦写

STM32G4系列微控制器的Flash擦写可以通过以下步骤实现：

1. 解锁Flash区域：在擦写Flash之前，需要先解锁Flash区域。可以使用以下代码实现：

  HAL_FLASH_Unlock();

2. 擦除Flash扇区：使用以下代码擦除指定的Flash扇区：

  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_1, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

其中，FLASH_SECTOR_1表示要擦除的扇区，FLASH_VOLTAGE_RANGE_3表示Flash的工作电压范围。

3. 写入数据：使用以下代码将数据写入Flash：

  HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address, data);

其中，address表示要写入的Flash地址，data表示要写入的数据。

4. 锁定Flash区域：在完成Flash擦写后，需要锁定Flash区域以保护Flash数据。可以使用以下代码实现：

  HAL_FLASH_Lock();

以上就是STM32G4系列微控制器的Flash擦写的基本步骤。需要注意的是，Flash擦写是一项危险的操作，需要谨慎处理，避免对Flash数据造成损坏。

stm32f103 flash 擦写次数

STM32F103系列微控制器的Flash擦写次数通常取决于其具体的存储芯片型号以及闪存的耐久性标准。一般而言，现代的NAND型Flash有很高的擦写次数，可以达到百万次以上，甚至上千万次。对于STM32F103的内置Flash，如果按照厂家推荐的操作规范来使用，比如定期刷新、避免连续高强度擦写等，它的使用寿命应该远超过这个数字。

然而，实际寿命会因温度控制、操作频率和质量保证级别的差异而有所不同。频繁的高密度擦写确实可能会缩短Flash的使用寿命，因此为了延长设备的使用寿命，建议遵守制造商提供的指导，并定期做适当的错误检测和数据恢复工作。