写一段擦写stm32 flash的操作函数

以下是一段擦写STM32 Flash的操作函数：

void flash_erase(uint32_t pageAddr)
{
    HAL_FLASH_Unlock();
    FLASH_Erase_Sector(pageAddr, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);
    HAL_FLASH_Lock();
}

void flash_write(uint32_t addr, uint32_t data)
{
    HAL_FLASH_Unlock();
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, data);
    HAL_FLASH_Lock();
}

该函数包括两个操作：擦除和写入。擦除操作用于将整个页面擦除为0xFF，以便在写入新数据之前清除该页面的旧数据。写入操作用于将数据写入指定的地址。在这段代码中，我们使用了HAL库提供的函数来擦除和写入Flash。需要注意的是，在执行擦除和写入操作之前，必须先解锁Flash，以便进行操作。完成操作后，应该立即锁定Flash以保护数据的安全性。

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如何在STM32F103微控制器上实现内部Flash存储来模拟EEPROM的读写操作？

在STM32F103微控制器上，通过内部Flash模拟EEPROM的读写操作需要编写特定的函数来处理Flash的编程和擦除操作。这里提供一个基本的操作流程，以帮助你理解如何实现这一功能。

参考资源链接：[STM32F103 内部Flash模拟EEPROM数据存储](https://wenku.csdn.net/doc/1g3uai6bf9?spm=1055.2569.3001.10343)

首先，为了实现Flash的写入操作，你需要定义一个函数如`STM32F103ϵ在玩家中Flashд`。这个函数需要按照以下步骤来操作：
1. 确保Flash的写入前提条件得到满足，比如Flash已经处于就绪状态，没有被锁定。
2. 选择适当的Flash地址，这通常是在Flash的用户可编程区域内。
3. 执行实际的写入操作，可能涉及到页擦除和字节编程。
4. 等待写入操作完成，并检查状态寄存器，确保没有错误发生。
5. 如果必要，通过锁定Flash来防止意外的写入操作。

对于读取操作，你需要实现类似`ReadFlashNBtye`的函数。该函数的实现如下：
1. 接收要读取数据的起始Flash地址、缓冲区和要读取的字节数作为参数。
2. 将Flash地址转换为物理地址（如果是通过某种映射的话）。
3. 逐字节从Flash中读取数据到提供的缓冲区中，直到读取完指定数量的字节。

在编写这些函数时，务必考虑到Flash的有限擦写周期和错误处理机制。为了模拟EEPROM的易用性，你还可以设计一套地址映射方案，使程序能够像操作普通EEPROM一样操作Flash。

为了进一步加深对STM32F103内部Flash编程的理解，建议参考《STM32F103 内部Flash模拟EEPROM数据存储》这份资源。它提供了一段详细的代码示例，讲解如何在STM32F103上实现Flash的读写操作，从而模拟EEPROM的存储功能。通过学习这份资料，你将能够更深入地掌握STM32F103内部Flash的操作，进而有效地将其应用于数据持久化存储的场景中。

参考资源链接：[STM32F103 内部Flash模拟EEPROM数据存储](https://wenku.csdn.net/doc/1g3uai6bf9?spm=1055.2569.3001.10343)