reg [7:0] mem [15:0]
时间: 2023-11-30 14:05:07 浏览: 71
这一个 16 行 8 列的双端口 RAM,每个 RAM 单元的数据位宽为 8 位。其中 `reg` 表示这是一个寄存器变量,`[7:0]` 表示数据位宽为 8 位,`mem` 是变量名,`[15:0]` 表示有 16 行,每行对应一个 8 位寄存器。这个 RAM 有两个端口,可以同时实现读和写。读操作通过 `mem` 数组的索引和读写端口控制信号实现,写操作通过写入数据、地址和写使能信号实现。以下是一个简单的 Verilog 代码实现:
```
module dual_port_ram(
input clk, // 时钟信号
input [3:0] r_addr1, // 1 号读地址
input [3:0] r_addr2, // 2 号读地址
input [3:0] w_addr, // 写地址
input [7:0] w_data, // 写数据
input w_en, // 写使能信号
input [1:0] r_en, // 读使能信号
output reg [7:0] r_data1, // 1 号读数据
output reg [7:0] r_data2 // 2 号读数据
);
reg [7:0] mem [15:0]; // 双端口 RAM
always @(posedge clk) begin
if (w_en) begin // 写使能信号为高电平时,将写入数据存入指定地址的 RAM 单元中
mem[w_addr] <= w_data;
end
if (r_en[0]) begin // 1 号读使能信号为高电平时,将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 1 号输出端口
r_data1 <= mem[r_addr1];
end
if (r_en[1]) begin // 2 号读使能信号为高电平时,将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 2 号输出端口
r_data2 <= mem[r_addr2];
end
end
endmodule
```
这个 RAM 模块有一个时钟输入,三个地址输入,一个写数据输入,一个写使能信号输入,两个读使能信号输入,两个输出端口,并声明了一个 16 行 8 列的内部寄存器数组 `mem`。在时钟上升沿时,如果写使能信号为高电平,则将写数据存储到指定地址的 RAM 单元中;如果 1 号读使能信号为高电平,则将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 1 号输出端口;如果 2 号读使能信号为高电平,则将指定地址的 RAM 单元中的数据输出到 2 号输出端口。
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