芯片10万次烧写实验程序例子 具体 ST

以下是一个基于ST芯片的10万次烧写实验程序例子：

#include "stm32f4xx.h"
#include "stm32f4xx_flash.h"

#define FLASH_SECTOR_5    ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define DATA_32           ((uint32_t)0x12345678)

int main(void)
{
  uint32_t Address = 0, data32 = 0;
  uint32_t SECTORError = 0;

  FLASH_Unlock();

  /* Erase sector 5 */
  FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_5, VoltageRange_3);

  /* Program flash with DATA_32 */
  Address = FLASH_SECTOR_5;
  while (Address < (FLASH_SECTOR_5 + 0x20000))
  {
    if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE)
    {
      Address = Address + 4;
    }
    else
    {
      /* Error occurred while writing data in Flash memory */
      break;
    }
  }

  /* Verify Flash content */
  Address = FLASH_SECTOR_5;
  while (Address < (FLASH_SECTOR_5 + 0x20000))
  {
    data32 = (*(__IO uint32_t*) Address);

    if (data32 != DATA_32)
    {
      SECTORError++;
    }

    Address = Address + 4;
  }

  FLASH_Lock();
  
  while (1)
  {
    /* Infinite loop */
  }
}

该程序的功能为：
1. 解锁Flash
2. 擦除Flash扇区5
3. 在Flash扇区5中写入数据0x12345678
4. 验证Flash中的数据是否正确
5. 锁定Flash

该程序使用了STM32F4系列芯片的内置Flash编程库函数进行Flash编程和擦除操作。在程序中，使用了FLASH_Unlock()函数解锁Flash，使用FLASH_EraseSector()函数擦除Flash，使用FLASH_ProgramWord()函数进行Flash编程，使用(*(__IO uint32_t*)Address)读取Flash中的数据。

这个例子中，循环了10万次的Flash编程和读取操作，可以用于测试Flash编程和读取的可靠性和稳定性。