IS61/64WV204816ALL

IS61/64WV204816ALL是一种高速32M位静态RAM，它由2048K字乘16位组成。它采用了ISSI的高性能CMOS技术制造，并且有48引脚TSOP（TYPEI）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。在写模式下，选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。

相关问题

IS64WV51216EDBLL使用

IS64WV51216EDBLL是一种高速低功耗静态随机存储器(SRAM)芯片，具有8M容量和512K*16的组织结构。它采用了高性能CMOS工艺制造，具有高可靠性和低功耗的特点。该芯片具有高速访问时间和CMOS低功耗运行特性，适用于各种应用场景。它采用了单电源供电，具有高低字节数据控制和TTL兼容接口级别。IS64WV51216EDBLL还具有汽车温度范围的支持，适用于-40°C至+125°C的环境。该芯片采用JEDEC标准封装。
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- *1* *3* [​推荐分享stm32扩展sram芯片ISSI IS62WV51216EBLL](https://blog.csdn.net/NETSOL/article/details/112825624)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* [EMI508NL16VM-55I可完美替换IS62WV51216EBLL-45TLI片外sram 8M](https://blog.csdn.net/EVERSPIN/article/details/122688707)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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FPGA IS61WV1288 SRAM存储

FPGA中的IS61WV1288是一种SRAM存储器芯片。该芯片由ISSI公司生产，具有128K*8位的存储容量。该存储器具有以下特点：
1. 高速访问时间，可以选择8、10、12或15纳秒的访问时间。
2. 采用CMOS技术，具有低功耗特性。
3. 具有TTL兼容的接口电平。
4. 单电源供电，工作电压为3.3V。
5. 无需时钟信号和刷新操作。
6. 支持三态输出。
7. 数据控制分为高字节和低字节。

IS61WV1288的管脚定义和控制信号的真值表可以参考其数据手册。这里提供了一个数据手册的链接，你可以通过阅读该手册进行比较和学习。根据手册中的时序图分析，可以设计基于VHDL的SRAM读写控制。

要在FPGA中使用IS61WV1288存储器，你需要进行以下步骤：
1. 连接FPGA和IS61WV1288芯片，确保电源和信号线连接正确。
2. 在FPGA的设计中，使用FSMC的NORFlash控制器来管理外部存储器，包括IS61WV1288。通过FSMC扩展外部存储器时，需要进行FSMC的初始化配置。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* *2* [FSMC | STM32与FPGA通信](https://blog.csdn.net/qq_40310273/article/details/112343006)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT3_1"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
- *3* [片外SRAM芯片IS61LV25616研究](https://blog.csdn.net/dalskjflaskjd/article/details/16808447)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v92^chatsearchT3_1"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
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