IS61WV25616BLL-10BLI

IS61WV25616BLL-10BLI是一种高速的4Mbit静态SRAM芯片。它采用了ISSI的高性能CMOS技术制造，具有高性能和低功耗的特点。该芯片具有8、10、20ns的高速访问时间和85mW的低功耗。它支持单电源操作，工作电压范围为2.4V至3.6V。该芯片具有完全静态操作，无需时钟或刷新。它还具有三态输出和高低字节数据控制功能。IS61WV25616BLL-10BLI封装在44引脚TSOP TypeII和48引脚Mini BGA中。\[1\]\[2\]

SRAM是一种随机存取存储器，它可以在通电的情况下持续保存数据，不需要刷新电路。相比其他类型的存储器，SRAM具有较高的性能。它有多种类型，包括异步SRAM和同步SRAM等。\[3\]
#### 引用[.reference_title]
- *1* *2* [IS61WV25616BLL高速异步SRAM](https://blog.csdn.net/EVERSPIN/article/details/115489201)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down28v1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *3* [国产外扩sram芯片EMI502NL16LM完美替换IS61WV12816FALL](https://blog.csdn.net/EVERSPIN/article/details/116159860)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down28v1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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