IS61WV20488BLL：2M*8高速CMOS静态RAM规格预览

"IS61WV20488BLL是一款2M*8的SRAM芯片，由Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)制造。该芯片提供了高速访问时间，可在不同电源电压下实现8ns、10ns或20ns的时钟速度。它采用低功耗高性能的CMOS工艺，设计有增强噪声免疫力的中心电源和地线引脚。IS61WV20488BLL支持简单的内存扩展，具有CE和OE选项，并且具备CE电源关闭功能。此外，其操作完全静态，无需时钟或刷新，输入和输出与TTL兼容，并仅需单一电源供应。根据不同的型号，电源电压范围为1.65V至2.2V（IS61WV20488ALL，速度为20ns）或2.4V至3.6V（IS61/64WV20488BLL，速度为10ns）。" IS61WV20488BLL是集成硅谷解决方案公司（ISSI）推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有2兆位（2M）的数据存储容量，每个存储单元宽度为8位，因此总共有256K字×8位的存储空间。这款SRAM芯片的设计特点强调了高速性能和低功耗，适用于需要快速数据访问和高效能的系统。 首先，IS61WV20488BLL的高速访问时间是其主要特性之一，可以达到8ns、10ns或20ns，这取决于电源电压。对于IS61WV20488ALL，当电源电压在1.65V至2.2V之间时，其速度为20ns；而IS61/64WV20488BLL在2.4V至3.6V的电源电压下，速度可提高到10ns。这样的高速访问能力使其适合于实时处理和高频率操作的应用。 其次，芯片采用了低功耗的CMOS工艺技术，这意味着在提供高性能的同时，能够减少功耗，延长电池寿命，尤其适用于便携式和移动设备。 为了增强系统的稳定性，IS61WV20488BLL设计有多中心的电源和接地引脚，这有助于降低噪声干扰，提高系统的抗噪声能力。此外，内存扩展功能通过CE（Chip Enable）和OE（Output Enable）选项得以实现，使得用户可以方便地扩展存储容量。 该SRAM芯片的操作完全静态，意味着它不需要外部时钟脉冲或刷新周期来保持数据。这种静态操作简化了系统设计，降低了复杂性，同时也减少了功耗。IS61WV20488BLL还提供了CE电源关闭功能，允许在不使用时关闭电源，进一步节省能源。 输入和输出与TTL（晶体管-晶体管逻辑）兼容，确保了与广泛使用的TTL电路的互操作性。单一电源供应简化了电源管理，减少了布线和设计的复杂性。 总而言之，IS61WV20488BLL是一款适合高速应用、需要低功耗和稳定性的2M*8 SRAM芯片，适用于各种嵌入式系统、数字信号处理、网络设备和其他需要快速数据存取的场合。在设计使用此芯片的系统时，应确保遵循最新的设备规格，以获取最佳性能和可靠性。