IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL低电压超低功率CMOS静态RAM芯片规范

IS62WV51216BLL-45B中文资料 IS62WV51216BLL-45B是一款高速度、低电压、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）公司设计和制造。下面是该存储器的详细知识点： **概述** IS62WV51216BLL-45B是ISSI公司的一款高性能SRAM存储器，具有高速访问时间、低电压和超低功耗等特点。该存储器适用于需要高速数据存储和低功耗的应用场景。 **特点** 1. 高速访问时间：IS62WV51216BLL-45B具有高速访问时间，仅需45ns或55ns，满足高速数据存储需求。 2. 低电压操作：该存储器可以在1.65V-2.2V或2.5V-3.6V电压范围内运转，满足低电压应用需求。 3. 超低功耗：IS62WV51216BLL-45B具有超低的操作功耗（36mW）和待机功耗（12µW），满足低功耗应用需求。 4. TTL兼容接口电平：该存储器具有TTL兼容接口电平，易于与其他逻辑电路集成。 5. 单电源供电：IS62WV51216BLL-45B只需要单个电源供电，简化了电路设计。 6. 完全静态操作：该存储器不需要时钟或刷新信号，简化了系统设计。 7. 三态输出：IS62WV51216BLL-45B具有三态输出，满足不同的输出需求。 8. 数据控制：该存储器具有数据控制功能，允许用户控制上半字节和下半字节的数据。 9. 工业温度可用：IS62WV51216BLL-45B适用于工业温度范围，满足不同应用场景的需求。 10. 环保材料可用：该存储器采用环保材料，满足环保要求。 **应用场景** IS62WV51216BLL-45B适用于各种需要高速数据存储和低功耗的应用场景，例如： * 高速数据缓存 * 低功耗嵌入式系统 * industrial控制系统 * 通信设备 * 消费电子产品 **技术参数** * 存储容量：512Kx16 bit * 访问时间：45ns或55ns * 工作电压：1.65V-2.2V或2.5V-3.6V * 操作功耗：36mW（典型值） * 待机功耗：12µW（典型值） * 工作温度：-40°C to 85°C * 存储周期：无需刷新 IS62WV51216BLL-45B是一款高性能、低功耗的SRAM存储器，适用于各种高速数据存储和低功耗应用场景。