IS61WV51216BLL：512K*16高速CMOS静态RAM技术规格

"IS61WV51216BLL是一款512K*16位的高速异步CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片，由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。这款SRAM具有3.3V电源供应，适用于需要高速读写操作的应用。" IS61WV51216BLL是ISSI公司生产的一款高性能、低功耗的CMOS SRAM芯片。该芯片提供了512K（即512K字节或65,536字）的存储容量，每个字由16位数据线组成，总计838,8608位。该芯片的主要特性包括： 1. 高速访问时间：IS61WV51216BLL提供三种速度等级，分别是8ns、10ns和20ns。这表示在特定电源电压下，从存储器读取或写入数据所需的时间，其中10ns的版本适用于2.4V至3.6V的电源电压，而20ns的版本适用于1.65V至2.2V的电源电压。 2. 低功耗CMOS工艺：采用这种工艺可以实现更高的能效，同时保持高速性能。 3. 多个中心电源和接地引脚：这种设计增强了芯片对噪声的免疫力，提高了系统稳定性。 4. CE（Chip Enable）和OE（Output Enable）选项：允许轻松扩展内存，通过这些控制信号可以选择性地启用或禁用存储器的访问。 5. CE电源关闭功能：在不使用时，可以通过CE引脚关闭芯片，以节省电力。 6. 完全静态操作：IS61WV51216BLL无需时钟或刷新操作，这意味着它可以立即启动并保持数据，无需周期性刷新。 7. TTL兼容输入和输出：确保与标准TTL逻辑电路的兼容性，简化了系统集成。 8. 单电源供电：只需一个3.3V电源，简化了电源管理。 这款SRAM芯片适用于需要高速数据交换的嵌入式系统、数字信号处理、网络设备、图形处理单元等多种应用中。由于其低功耗特性，它也适合电池供电的移动设备。在设计中使用IS61WV51216BLL时，开发者应确保获取最新的器件规格，以便于正确地集成到他们的系统中，并确保满足性能和电源要求。在依赖任何公开信息或下单购买产品之前，获取最新版本的规格书是至关重要的，因为ISSI保留在任何时候更改规格和产品的权利，而且不承担由此产生的应用或使用责任。