在大电流应用场合，有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联，哪些不可以？原因是什么

### 回答1：
在大电流应用场合中，IGBT和MOSFET都可以用于多管并联，但是存在一些限制和注意事项。

对于IGBT，由于其导通时的电压降较大，会导致多管并联时电流不平衡的问题。为了解决这个问题，需要使用具有电流平衡功能的驱动器或者加入电流平衡电路。此外，IGBT并联时需要注意选用同型号、同批次、同厂家的器件，以确保电特性一致。

对于MOSFET，由于其导通时的电压降较小，多管并联时电流分布比较均匀，不会出现IGBT那样的电流不平衡问题。但是，MOSFET并联时需要保证各个管的电压分配均匀，尽量避免由于电压分配不均导致的功率损失不平衡。

总的来说，IGBT和MOSFET都可以用于多管并联，但是需要注意各自的特点和限制，并根据具体应用场合选择合适的器件。

### 回答2：
在大电流应用场合中，有时需要将多个器件进行并联以满足电流要求。对于可供选择的器件，无论是IGBT还是MOSFET，均可以用于并联。

在IGBT并联方面，主要考虑以下几个因素：
1. 模块间的电流分配：IGBT模块具有较好的电流分配能力，且可以在并联时实现比较均匀的电流分流。
2. 热量分散：IGBT模块由于内部结构复杂，热量分散相对较好，可以减少由于高温引起的热失稳问题。
3. 抗动态不平衡：IGBT并联时，由于结构上的特点，可以较好地抵抗电流分布不均衡或动态不平衡的情况。

对于MOSFET并联，需要考虑以下因素：
1. 热量分散：MOSFET的热量分散能力较弱，需采取合适的散热措施，以避免过热情况。
2. 驱动技术：由于MOSFET的特性，要实现多个MOSFET的并联，需要采用合适的驱动电路和技术，以确保电流分配准确。
3. 静态和动态特性匹配：在MOSFET并联时，需要选取相同或相似的器件，以确保静态和动态特性的匹配，从而避免因此引起的不稳定性和寿命问题。

综上所述，无论是IGBT还是MOSFET，均可用于并联应用。但在选择时需要根据具体情况综合考虑相关因素，如电流分配、热管理、驱动技术和特性匹配等，以确保并联系统的稳定性和可靠性。

### 回答3：
在大电流应用场合，对于多管并联，可以选择IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为器件。

首先，IGBT适合用于多管并联。IGBT结合了Bipolar Junction Transistor（BJT）和MOSFET的优点，具有低导通电阻和高断电电压的特点，能够承受大电流。多管并联时，IGBT的驱动电路比较简单，因为其具有较高的电流放大能力和速度，可以更好地均衡电流分配。

而对于MOSFET，一般而言，它不适合用于大电流的多管并联。原因主要有以下几点：

1. 导通电阻较高：MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）相对较高，当多个MOSFET进行并联时，导通电阻总和会增加，导致整个并联系统的效率降低。

2. 温度不均衡：由于RDS(ON)相对较高，多个MOSFET并联工作时，可能会导致某个MOSFET承受较大的电流，使其温度上升较快，而其他MOSFET的负载较小，温度上升较慢。这种温度不均衡会影响整个系统的稳定性。

综上所述，IGBT适合用于多管并联，而MOSFET在大电流应用场合下并联效果不佳。在选择器件时，需要综合考虑电流容量、导通电阻、驱动电路复杂度以及系统稳定性等因素。