1、 在大电流应用场合，有时候需要多管并联。现在可供选择的器件有IGBT和MOSFET。哪些可以用于并联，哪些不可以？原因是什么？。

### 回答1：
在大电流并联应用场合，MOSFET和IGBT均可以用于并联。但是，对于IGBT的并联，需要特别注意并联电感和电阻的均衡，以避免由于电感不均衡导致的流失平衡问题。相比之下，MOSFET对于并联的要求较低，因为其电感和电阻要比IGBT小得多。此外，由于IGBT的集电结不适合并联，因此并联应用时需要进行专门的改进，而MOSFET不需要这种改进。因此，在大电流并联应用场合，MOSFET是更为普遍的选择。

### 回答2：
在大电流应用场合，IGBT和MOSFET都可以用于多管并联，但需要根据具体情况来选择。

首先，IGBT适用于大功率和高电压应用。IGBT具有较高的开关速度和导通能力，可以承受较大的电流和电压。在并联应用中，多个IGBT器件可以平均分担功率，提高整体的工作效率和可靠性。

然而，由于IGBT的特性，即使是相同型号的器件也会存在一些参数差异，如导通电压和开关速度等。因此，在进行多管并联时，需要仔细选择和匹配IGBT器件，确保其参数相似性，以避免器件之间的不平衡导致电流分布不均。

另一方面，MOSFET也可以在大电流应用中进行多管并联。MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高频应用。在并联应用中，多个MOSFET器件可以共同分担功率，提高整体的工作效率和可靠性。

然而，与IGBT不同，MOSFET器件具有较小的导通能力和电压抵抗能力。因此，在进行多管并联时，需要确保MOSFET器件在系统中的负载均衡，以避免器件之间的不平衡导致电流分布不均。

综上所述，无论是IGBT还是MOSFET，都可以用于大电流应用场合的多管并联。但在选择器件时，需要根据具体应用要求，以及仔细考虑器件的参数匹配和系统的负载均衡，确保并联的器件能够协同工作，提高系统的性能和可靠性。

### 回答3：
在大电流应用场合，IGBT和MOSFET都可以用于并联。然而，IGBT相对于MOSFET来说，在并联应用中的选择更加广泛，主要有以下几个原因：

首先，IGBT具有比MOSFET更高的导通能力和短路能力，使其在高电流应用中表现更好。其导通时的压降较小，可以减少功率损耗，且具有较高的耐压特性。

其次，IGBT具有较低的开关损耗，能够适应频繁的开关操作。这对于高频率应用非常重要，因为频繁的开关操作可能会导致MOSFET过早失效。

此外，IGBT的温度稳定性较好，能够在较高的温度下工作，这对于高功率应用中的散热要求较高的情况非常重要。

另一方面，MOSFET在一些特定情况下也可以用于并联应用。例如，在低电流、低功率应用中，MOSFET可能更加适合，并且其价格相对较低。

总的来说，在大电流应用场合，IGBT更适合并联应用。它具有较高的导通能力、短路能力和耐压特性，能够适应高功率、高频率以及散热要求较高的情况。相比之下，MOSFET更适合低电流、低功率应用，并具有较低的价格优势。