直接带隙与间接带隙半导体有什么区别,哪一种更适合用来做半导体激光器,请说明为什么
时间: 2024-04-06 12:28:09 浏览: 517
半导体能带图-mpu-6050 六轴传感器数据手册(英文)
直接带隙半导体与间接带隙半导体的区别在于电子在能量-动量空间中的转移方式。直接带隙半导体的价带和导带在k空间中的最小能量点重合,因此电子在跃迁时不需要改变动量,转移效率高,可以产生强烈的光致发光。间接带隙半导体的最小能量点则不在k空间中,因此电子在跃迁时必须改变动量,其转移效率较低,难以产生强烈的光致发光。
对于半导体激光器,直接带隙半导体更适合用来做。因为直接带隙半导体具有较高的发光效率,可以产生更强的激光输出。同时,直接带隙半导体的发光波长较短,适用于制作紫外、蓝光激光器等高能量密度激光器,而这种激光器在信息存储、高精度测量、生物医学等领域具有广泛的应用前景。
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