1. 编程实现如下功能： a) 将下面长度为16的字节常数存入首地址为$0160的连续Flash 存储单元： 0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07 0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x7； b) 将上面存储在 Flash 中的 16 个字节单元的数据块依次赋值给 起始地址为$0230 的 SRAM 内存块的相应内存单元中； c) 将上面 SRAM 内存中起始地址为$0230 的 16 个字节的数据块 整体复制到起始地址为$0320 的内存块中

以下是实现上述功能的代码示例（假设使用的是STM32单片机）：

#include "stm32f10x.h"

void write_flash(uint32_t address, uint8_t *data, uint32_t length)
{
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ErasePage(address);
    for (uint32_t i = 0; i < length; i += 2)
    {
        uint16_t tmp = (data[i+1] << 8) | data[i];
        FLASH_ProgramHalfWord(address + i, tmp);
    }
    FLASH_Lock();
}

void copy_memory(uint8_t *src, uint8_t *dst, uint32_t length)
{
    for (uint32_t i = 0; i < length; i++)
    {
        dst[i] = src[i];
    }
}

int main(void)
{
    uint8_t flash_data[16] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x7};
    uint8_t sram_data[16];

    // 将 Flash 中的数据块依次赋值给 SRAM 内存块的相应内存单元中
    for (uint32_t i = 0; i < 16; i++)
    {
        sram_data[i] = *(volatile uint8_t*)(0x08001600 + i);
    }

    // 将 SRAM 内存中起始地址为$0230 的 16 个字节的数据块整体复制到起始地址为$0320 的内存块中
    copy_memory(sram_data, (uint8_t*)0x2000230, 16);
    copy_memory((uint8_t*)0x2000230, (uint8_t*)0x2000320, 16);

    while(1)
    {
        // do something
    }
}

上面的代码实现了将数据存储到Flash中、从Flash中读取数据到SRAM中、从SRAM中复制数据到另一个SRAM地址中。需要注意的是，STM32单片机中的Flash存储单元大小为半字（即16位），因此在存储时需要将每两个字节合并成一个半字。同时，读取Flash中的数据需要使用`volatile`修饰符，防止编译器对Flash操作进行优化。