static u8 Iap_Flash(u8 *buffer, u32 saddr, u32 eaddr) { u32 flash_start=iap_DataInfo.guFlashOffset; u32 wdata; u32 r_data; u8* dptr; if (eaddr >=APP_FLASH_SIZE || (saddr&0x03)!=0) { DBG("Program out of boundary\r\n"); return 1; } dptr=buffer; while(saddr < eaddr) { wdata=dptr[0] + (dptr[1]<<8) + (dptr[2]<<16) + (dptr[3]<<24); //*If page start,Erase flash page first if(((saddr + flash_start)&0x1FF)==0x0000){ DBG("Erase 0x%x!",saddr + flash_start); FLASH_Erase_OnePage(saddr + flash_start); } // Do auto-blank check before program if(Flash_ReadWD(saddr + flash_start) != 0xFFFFFFFF) { DBG("Flash write error 1!\r\n"); return 1; } FLASH_WriteWD(saddr + flash_start,wdata); r_data=Flash_ReadWD(saddr + flash_start); if(r_data != wdata) { DBG("Flash write error 2!\r\n"); return 1; } saddr += 4; dptr+=4; } return 0; }

这段代码是一个函数 `Iap_Flash`，用于进行闪存编程（Flash programming）操作。

首先，函数内部声明了几个变量，包括 `flash_start`、`wdata`、`r_data` 和 `dptr`。

接下来，代码执行了一个条件判断，检查 `eaddr` 是否大于等于 `APP_FLASH_SIZE` 或者 `saddr` 的最低两位是否为0。如果满足条件，则输出错误信息并返回1，表示程序超出了闪存的边界。

然后，将输入的 `buffer` 赋值给指针 `dptr`。

之后，使用一个循环进行逐个字节的编程。在每次循环中，将 `dptr` 指向的4个字节数据合并成一个无符号32位整型数 `wdata`。如果当前地址与 `flash_start` 相加后的低9位为0，表示需要先擦除闪存页，因此会调用 `FLASH_Erase_OnePage` 函数进行擦除操作。

接着，在编程之前会进行自动空白检查（auto-blank check）。如果当前地址处的闪存数据不是全1（0xFFFFFFFF），则表示写入错误，返回1。

然后，调用 `FLASH_WriteWD` 函数将数据写入闪存。之后，再次读取刚刚写入的数据并将其与原始数据进行比较，如果不相等，则表示写入错误，返回1。

最后，更新地址和指针，进入下一个循环，直到 `saddr` 达到 `eaddr` 结束循环。最后返回0，表示闪存编程操作成功。

总体来说，这段代码实现了闪存编程的功能，根据输入的起始地址和结束地址，将数据逐个字节编程到闪存中，并进行擦除和验证操作。