gd32F103 flash读写

对于GD32F103系列的MCU，可以通过以下步骤进行Flash的读写操作：

1. 确定Flash的起始地址和大小，以及要读写的数据。

2. 配置Flash接口和相关时钟。GD32F103的Flash接口包括了Flash控制器（FMC）和存储器接口控制器（FSMC），需要根据具体情况选择合适的接口进行配置。

3. 对Flash进行解锁。通过设置FMC_CTLR的KEY和UNLOCK位进行Flash解锁。

4. 擦除Flash。可以选择擦除整个Flash区域（Bulk Erase）或者指定的Flash页（Page Erase）。擦除操作会将Flash中的数据全部置为1。

5. 编程Flash。将要写入的数据按页（Page）进行编程，可以使用FMC_WDATAx寄存器进行数据写入。

6. 等待Flash编程完成。可以使用FMC_STATR寄存器的BUSY位进行判断，当BUSY位为0时，表示编程完成。

7. 锁定Flash。通过设置FMC_CTLR的LOCK位进行Flash锁定，锁定后无法再进行擦除和编程操作。

需要注意的是，Flash的读写操作涉及到底层硬件的操作，具体的代码实现可能会有所不同，可以参考GD32F10x固件库提供的示例代码来进行操作。同时，为了保证数据的正确性和安全性，建议在操作Flash之前备份原有的数据，避免数据丢失或者损坏。