gd32f103 flash读写

gd32f103芯片是广东核电推出的一款32位微控制器系列产品，其内部集成了具有良好性能的Flash存储器。gd32f103的Flash存储器可以用于程序代码的存储和读取，同时还可以用于数据的存储和读取。

gd32f103的Flash存储器可以通过编程来进行读写操作。在进行Flash读操作时，首先需要设置所需读取的Flash地址和长度，然后通过读取指令执行Flash读操作。读取的数据可以存储到内部寄存器中，或者直接传送到CPU进行进一步处理。

在进行Flash写操作时，首先需要解锁Flash操作以允许写入操作。然后，需要擦除所需写入的Flash页面。擦除完成后，可以将待写入的数据加载到特定的寄存器中，并通过写入指令进行写入操作。在写入操作完成后，可以再次锁定Flash操作，以保护已写入的数据。

gd32f103的Flash读写具有很高的可靠性和稳定性。它支持多种擦除模式和编程模式，可以满足不同应用场景的需求。此外，gd32f103还具有自动错误纠正功能，可以有效地识别和纠正写入过程中可能出现的错误。

总之，gd32f103的Flash读写功能强大，可以实现可靠和高效的数据存储和读取操作，适用于各种嵌入式应用领域。

相关问题

gd32F103 flash读写

对于GD32F103系列的MCU，可以通过以下步骤进行Flash的读写操作：

1. 确定Flash的起始地址和大小，以及要读写的数据。

2. 配置Flash接口和相关时钟。GD32F103的Flash接口包括了Flash控制器（FMC）和存储器接口控制器（FSMC），需要根据具体情况选择合适的接口进行配置。

3. 对Flash进行解锁。通过设置FMC_CTLR的KEY和UNLOCK位进行Flash解锁。

4. 擦除Flash。可以选择擦除整个Flash区域（Bulk Erase）或者指定的Flash页（Page Erase）。擦除操作会将Flash中的数据全部置为1。

5. 编程Flash。将要写入的数据按页（Page）进行编程，可以使用FMC_WDATAx寄存器进行数据写入。

6. 等待Flash编程完成。可以使用FMC_STATR寄存器的BUSY位进行判断，当BUSY位为0时，表示编程完成。

7. 锁定Flash。通过设置FMC_CTLR的LOCK位进行Flash锁定，锁定后无法再进行擦除和编程操作。

需要注意的是，Flash的读写操作涉及到底层硬件的操作，具体的代码实现可能会有所不同，可以参考GD32F10x固件库提供的示例代码来进行操作。同时，为了保证数据的正确性和安全性，建议在操作Flash之前备份原有的数据，避免数据丢失或者损坏。

gd32f103flash读写程序

以下是一个简单的 GD32F103 Flash 读写程序示例。假设你已经熟悉了 GD32F103 的 Flash 相关寄存器和功能，这里不再赘述。

注意：本程序只适用于在 Flash 末尾预留了一定空间的情况下进行 Flash 读写，如果你需要进行其他操作，需要自行修改代码。

#include "gd32f10x.h"

#define FLASH_START_ADDR    ((uint32_t)0x08000000)   // Flash 起始地址
#define FLASH_END_ADDR      ((uint32_t)0x08010000)   // Flash 结束地址（预留 64KB 空间）

void flash_erase_page(uint32_t addr);
void flash_write_word(uint32_t addr, uint32_t data);

int main(void)
{
    uint32_t i, data, addr;

    // 使能 Flash 写入
    fmc_unlock();
    fmc_ready_wait();

    // 擦除 Flash
    for (i = FLASH_START_ADDR; i < FLASH_END_ADDR; i += FLASH_PAGE_SIZE) {
        flash_erase_page(i);
    }

    // 写入数据
    for (i = FLASH_START_ADDR; i < FLASH_END_ADDR; i += 4) {
        data = i - FLASH_START_ADDR;
        flash_write_word(i, data);
    }

    // 读取数据
    for (i = FLASH_START_ADDR; i < FLASH_END_ADDR; i += 4) {
        addr = i - FLASH_START_ADDR;
        data = *(uint32_t *)i;
    }

    // 禁止 Flash 写入
    fmc_lock();

    while (1);
}

// 擦除 Flash 页
void flash_erase_page(uint32_t addr)
{
    fmc_page_erase(addr);
    fmc_ready_wait();
}

// 写入 Flash 单字
void flash_write_word(uint32_t addr, uint32_t data)
{
    fmc_word_program(addr, data);
    fmc_ready_wait();
}

以上是一个简单的 GD32F103 Flash 读写程序示例，可以按照自己的需求进行修改。