FDFS2P102A-VB: 30V双P-Channel沟道场效应MOSFET详细规格

FDFS2P102A-VB是一款由VBSEMICONDUCTORS公司生产的双通道P-Channel场效应MOSFET，采用SOP8封装，特别适合在需要低功耗和高效率的应用中使用。这款器件的特点如下： 1. 环保设计：FDFS2P102A-VB采用无卤素材料，符合现代电子产品对环保的要求。 2. TrenchFET技术：它采用了先进的Trench FET（沟槽型MOSFET）结构，这有助于降低导通电阻(RDS(on))，提高开关速度，并减少热损耗。 3. 高质量测试：产品经过严格的100% UISTest，确保了其性能的一致性和可靠性。 4. 特性参数： - 最大漏源电压(VDS)：-30V，确保了器件在极端工作条件下仍能保持稳定。 - 栅源电压(VGS)：支持±20V，提供了宽广的操作范围。 - 典型持续漏电流(ID)@VGS=10V：-7.3A，而当VGS降至-4.5V时，电流减小至-6.3A。 - 极小状态导通电阻(RDS(on))：在VGS=10V时仅为35mΩ，显示出出色的开关性能。 - 阈值电压(Vth)：-1.5V，对于MOSFET来说这是一个较低的阈值，有利于快速响应。 5. 应用领域：由于其高性能和低功耗特性，FDFS2P102A-VB适用于各种负载开关、电源管理和其他需要高效能开关电路的场合。 6. 功率与温度限制： - 最大连续功率 dissipation (PD)：在25°C下为5.0W，在70°C时下降到3.2W。 - 热阻：提供了一定的典型热阻值，如在25°C下的热阻Ma。 7. 温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，包括操作温度TJ和存储温度stg。 8. 脉冲和过载条件：有脉冲电流限制（如DM）以及单脉冲雪崩能量限制（AS），确保器件在短暂的过载情况下也能安全运行。 FDFS2P102A-VB是一款针对工业级应用设计的高性能P-Channel MOSFET，具有低RDS(on)，宽工作电压范围和严格的温度控制，是电子工程师构建高效率电源管理、驱动电路的理想选择。在选择和使用此类器件时，需注意其限制条件，确保在给定的条件下实现最佳性能。