"STM32通过FSMC扩展SRAM的时序配置与测量技术文档"
在嵌入式系统设计中,STM32微控制器的 Flexible Static Memory Controller (FSMC) 提供了对外部存储器扩展的能力,特别是对于需要更大内存空间的应用。本文档主要讨论了如何在STM32系列芯片上通过FSMC扩展SRAM,并详细介绍了时序配置和测量方法。
1. STM32F103的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量
- **时序介绍**:
- FSMC的基本时间单位是HCLK(系统时钟频率)。地址建立时间(ADDSET)和数据设置时间(DATSET)是关键参数,它们决定了与SRAM交互的速度。例如,ADDSET可设置为0~15,DATSET可设置为1~15。读取操作需2个HCLK周期读取数据,而写操作完成后有6个HCLK周期的等待时间。
- **时序测量**:
- 在72MHz的最高主频下,HCLK周期为13.89ns。在测试中,通常将地址建立时间设为0,数据建立时间为1,不使用扩展模式(即模式1),读等待时间设置为6个HCLK周期。
2. STM32F2/F4的FSMC扩展SRAM时序介绍及测量
- 虽然具体细节未在文档中详述,但STM32F2和F4系列的FSMC通常提供与F103相似的时序配置选项,但可能支持更高的时钟速度和更复杂的时序管理。
3. IS61LV25616高速SRAM的时序配置
- 对于高速SRAM如IS61LV25616,其时序要求更为严格。配置时需要确保FSMC的时序参数满足该SRAM的数据手册中的规定,以确保稳定可靠的通信。
4. EM681FV16AU中速大容量SRAM的时序配置
- 中速SRAM如EM681FV16AU可能需要更长的建立时间和不同的读写时序。配置时需关注这些差异,以适应其较慢的响应时间。
在进行时序配置时,必须仔细阅读SRAM的数据手册,理解其规定的时序参数。通过STM32的FSMC寄存器,如AS0~AS3、DS0~DS3等,可以设定相应的地址和数据设置时间。同时,还需要考虑BUSTURN(总线转换时间)、WAITx(等待状态)和EXTMOD(扩展模式)等参数。
在实际应用中,可以使用逻辑分析仪或者示波器来测量时序,确保STM32的FSMC输出信号与SRAM的输入信号匹配。例如,通过观察CS(片选)、NOE(非读使能)和NWE(非写使能)信号的上升沿和下降沿,可以验证是否符合预设的时序。
总结,STM32通过FSMC扩展SRAM涉及到的时序配置是一项关键任务,它直接影响到系统的性能和稳定性。正确的时序设置能确保数据传输的正确性和系统的高效运行。在进行配置时,务必根据具体的SRAM型号和STM32的主频来定制合适的时序参数,并通过实际测量验证其有效性。