STB80NF10T4-VB：100V N沟道TrenchFET功率MOSFET

"STB80NF10T4-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用TO-263封装，适用于需要高效能、高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET在设计上注重了高温工作能力，符合RoHS指令要求，并具有出色的热性能。" STB80NF10T4-VB场效应管是N沟道MOSFET的一种，其主要特性包括： 1. **TrenchFET技术**：采用了TrenchFET结构，这种技术使得MOSFET的沟道被制造在芯片表面的沟槽内，从而提供了更高的密度和更低的电阻，有利于降低导通电阻，提升效率。 2. **耐高温设计**：最大结温（TJ）达到175°C，这使得该器件能在较宽的温度范围内稳定工作，适用于需要承受高温环境的应用。 3. **RoHS合规性**：符合2002/95/EC RoHS指令，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。 4. **电气参数**： - **漏源电压(VDS)**：最大值为100V，表示MOSFET可以承受的最大电压差。 - **栅源电压(VGS)**：±20V，这是控制MOSFET导通和关断的电压范围。 - **连续漏极电流(ID)**：在25°C时为100A，125°C时为75A，表明MOSFET在额定温度下的持续电流能力。 - **脉冲漏极电流(IDM)**：最大脉冲电流为300A，适合短时间大电流脉冲应用。 - **雪崩能量(EAS)**：单脉冲雪崩能量为280mJ，表明器件在雪崩条件下的耐受能力。 5. **热性能**： - **结壳热阻(RthJC)**：0.6°C/W，这意味着每增加1W的功耗，结温将上升0.6°C。 - **结到环境热阻(RthJA)**：在TO-263封装下为40°C/W，表示器件在典型PCB安装条件下每增加1W功率损耗，外壳温度升高40°C。 6. **安全操作区**：绝对最大额定值列表提供了解决方案在不损害器件的情况下可承受的最大应力，例如最大漏源电压、栅源电压、连续和脉冲漏极电流等。 7. **应用领域**：STB80NF10T4-VB因其高性能和耐高温特性，常用于电源开关、电机驱动、负载开关以及需要高效率和小尺寸的电子设备中。 STB80NF10T4-VB场效应管是一款高性能的N沟道MOSFET，它的TrenchFET技术、高温工作能力和良好的热管理特性使其成为多种工业和消费电子产品中的理想选择。