STB55NF06L-VB: 60V N沟道TO263封装MOS管，高耐温与特性概览

STB55NF06L-VB是一款高性能的N沟道Trench FET型功率MOSFET，它采用TO263封装，适合在工业级应用中提供可靠的开关和功率处理能力。这款MOS管的关键特性包括： 1. **高温耐受**：它的junction temperature可达175°C，确保了在高温环境下仍能稳定工作。 2. **功率参数**： - **持续漏极电流（ID）**：在环境温度25°C下，最大值为75A；在100°C时降低到50A。 - **脉冲漏极电流（IDM）**：高达200A，适用于短时间峰值操作。 - **源极电流（IS）**：连续导通时，单向导电性限制为50A。 - **雪崩电流（IAS）**：单次雪崩能量限制为125mJ，适用于低占空比（1%）的应用。 - **最大功率损耗（PD）**：在25°C下，典型最大值为136W，保证了高效散热。 3. **电压规格**： - **栅源电压（VGS）**：±20V，确保了广泛的控制范围。 - **漏源电压（VDS）**：额定值为60V，允许在不同栅源电压下操作，如VGS=10V时的RDS(on)为11mΩ，VGS=4.5V时为12mΩ。 4. **封装和安装**： - TO263封装，适合表面安装，已证实可安装在1"x1"FR4板上。 - 需要注意的是，某些规格受到包装限制。 5. **温度范围**：操作和储存温度范围广泛，从-55°C至175°C，满足不同应用场景的需求。 6. **热阻**： - Junction-to-Ambient热阻在短时间内（t≤10s）为15°C/W，而在稳态条件下为40°C/W。 - Junction-to-Case热阻典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W。 7. **产品系列与支持**：STB55NF06L-VB是N-Channel 60V（D-S）MOSFET，属于D2PAK封装系列，并提供了客户服务热线400-655-8788。 这款MOSFET因其高耐温、大电流处理能力和优良的热性能，特别适合于对电源管理、电机驱动、功率转换等应用中要求高性能和可靠性的电路设计。设计者在集成时需注意遵守各项极限条件，以确保器件的长期稳定运行。