FDS6993-NL-VB：SOP8封装双P沟道MOSFET技术规格

"FDS6993-NL-VB是一款由VBsemi生产的双P-Channel场效应晶体管，采用SOP8封装。该器件的主要特点包括无卤素、TrenchFET技术的功率MOSFET，且经过100%UIS测试。适用于负载开关等应用。关键规格包括在VGS = -10V时的RDS(ON)为35mΩ，VGS = 20V时的RDS(ON)为45mΩ，阈值电压Vth为-1.5V。此外，它具有额定的Drain-Source电压VDS为-30V，连续 Drain电流ID在不同温度下有所不同，最高可达到-7A。" FDS6993-NL-VB是VBsemi公司的双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其封装形式为SOP8。这款器件特别强调其无卤素的环保特性，采用了TrenchFET技术，这是一种优化了栅极结构以降低导通电阻和提高效率的工艺。同时，产品在出厂前都经过了100%的UIS测试，确保了其在应用中的安全性。 在应用方面，FDS6993-NL-VB适合用作负载开关，这通常涉及在电子设备中控制电流的通断。产品摘要列出了其主要参数，例如Drain-Source电压的最大值为-30V，这意味着它可以承受这个范围内的电压差。此外，RDS(ON)是指在特定栅极电压下的导通电阻，对于FDS6993-NL-VB，当VGS为10V时，RDS(ON)为35mΩ，而当VGS为20V时，RDS(ON)降低到45mΩ，表明更低的导通电阻意味着在导通状态下更低的功率损耗。 器件的持续Drain电流ID随着温度变化，如在25°C时最大可达-7.3A，而在70°C时降至-5.9A。此外，还规定了脉冲Drain电流和连续源漏二极管电流的最大值，以及在特定条件下允许的雪崩电流和单脉冲雪崩能量，这些都是确保MOSFET在高电流瞬态条件下的安全运行参数。 在热性能方面，FDS6993-NL-VB的典型热阻抗数据给出，包括结到外壳的热阻RθJC，这些参数对于计算器件在工作时的温度至关重要，特别是在大功率应用中。器件的工作和存储温度范围是-55至150°C，保证了其在宽温范围内的可靠性。 总结起来，FDS6993-NL-VB是一款高性能、低功耗的双P-Channel MOSFET，适用于对开关效率和功率密度有较高要求的电路设计，特别是负载开关场景。其优秀的电气特性和热性能使得它成为许多电子系统设计的理想选择。