微机原理与接口技术:第5章 Cache到FRAM解析
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更新于2024-09-12
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"微机原理与接口技术的答案,包括第5章的名词解释、半导体存储器的分类和性能指标,以及SRAM、DRAM等不同类型存储器的特点与工作原理,还有关于芯片引脚数量计算的问题"
在微机原理中,第5章主要探讨了与存储系统相关的内容,特别是涉及了一些关键概念和技术。首先,我们来看几个名词的解释:
1. Cache:高速缓冲存储器,用于暂时存储频繁访问的数据,提高CPU访问数据的速度。
2. Shadow RAM:影子内存,通常用于存储BIOS程序,避免因主内存刷新而影响其运行。
3. CMOS:互补金属氧化物半导体,一种存储配置信息和设置的RAM,由电池供电保持数据。
4. Flash Memory:闪存,非易失性存储器,常用于U盘、固态硬盘等设备,可快速读写且数据不会因电源断开而丢失。
5. BIOS:基本输入输出系统,计算机启动时运行的一组程序,负责硬件初始化和提供操作系统的基本服务。
接着,半导体存储器的分类和主要性能指标:
半导体存储器主要分为静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。它们的主要性能指标包括存储容量、存取速度和带宽。带宽计算公式为:带宽 = 存储器总线频率 × 数据宽度 / 8(单位:字节/秒)。
SRAM和DRAM各有特点和工作原理:
- SRAM利用双稳态触发器存储信息,速度快但功耗大,适合用作高速缓存。
- DRAM通过电容充放电存储信息,虽然速度较慢,但集成度高、成本低,适用于主内存。
- MROM(掩模只读存储器)、PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)和FRAM(铁电随机存取存储器)都是不同类型的非易失性存储器,各自有其特定的应用场景。
在实际应用中,芯片引脚数量的计算也是一门学问。例如,一个4M×8位的SRAM芯片至少需要22条地址线(决定4M字),8条数据线,1条片选信号,1条读/写控制线,以及电源线,总计34条引脚。对于一个11条地址线、4条数据线的DRAM芯片,其最大容量为16M位。50ns的512M×8的DRAM芯片,需要根据数据线和地址线数量计算其具体引脚数目,并根据存取时间和总线速度判断是否需要插入等待周期以确保数据传输的正确性。
这些知识对于理解微机系统的存储层次结构、存储器性能优化以及系统设计至关重要。通过深入学习和理解这些内容,可以更好地设计和调试计算机系统,提高其运行效率。
2011-06-09 上传
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2023-09-05 上传
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