P3004ND5G-VB MOSFET: N+P沟道双极型MOSFET特性和应用
11 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 419KB PDF 举报
"P3004ND5G-VB是一款由N+P沟道组成的TO252-5封装MOSFET,适用于各种电源管理应用。它具有TrenchFET技术,提供低导通电阻和高电流能力,适合于需要高效能、低损耗的电路设计。"
该MOSFET的主要特性包括:
1. **TrenchFET Power MOSFET**:采用先进的TrenchFET结构,这种技术使得MOSFET在相同的物理尺寸下能实现更低的导通电阻(RDS(ON)),从而提高效率并减少发热。
2. **±40V工作电压**:这款MOSFET能承受40V的源漏电压(VDS),对于电源开关应用来说,这个电压范围非常广泛,可以处理大部分中低压电源需求。
3. **50A/50A连续电流**:无论是正向(N-Channel)还是反向(P-Channel),它都能处理高达50A的连续电流,适合大电流负载的应用。
4. **低导通电阻**:在VGS = ±10V时,RDS(ON)仅为15mΩ,VGS = ±4.5V时为18.75mΩ,这确保了在工作时有极低的电压降,减少了功率损失。
5. **±1V阈值电压**:Vth的精确控制使得驱动电路的设计更为简单,提高了系统的稳定性。
产品概述部分提供了N-Channel和P-Channel的详细参数:
- **N-Channel和P-Channel的VDS** 均为40V,这意味着器件可以处理双向40V的电压。
- **RDS(ON)** 在不同的栅极电压下,两种通道的导通电阻都很低,这有助于减少导通状态下的功率损耗。
- **ID** 两个通道的连续电流都达到50A,表明它们可以处理大电流的开关任务。
- **ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS** 提供了器件在不同条件下的最大工作限制,例如:在25°C和125°C时的最大功率耗散,以及在特定条件下允许的脉冲电流和能量。
此外,还提到了**热性能**,如:
- **Thermal Resistance Ratings** 包括结温到环境的热阻,这对评估器件在高热负荷下的性能至关重要。较低的热阻意味着更快的散热,能更好地维持器件的稳定运行。
这款MOSFET适用于需要高效能、低损耗、双向控制的电源转换和管理应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等。其优异的电气特性和热性能使其成为许多电子设计的理想选择。
2023-11-21 上传
2023-11-24 上传
2023-11-17 上传
2023-09-07 上传
2023-07-15 上传
2023-05-16 上传
2023-05-22 上传
2023-07-08 上传
2023-03-28 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/9c4f80bbd049454a89a68628a5c999c7_vbsemi.jpg!1)
微碧VBsemi
- 粉丝: 6915
- 资源: 2246
最新资源
- 解决Eclipse配置与导入Java工程常见问题
- 真空发生器:工作原理与抽吸性能分析
- 爱立信RBS6201开站流程详解
- 电脑开机声音解析:故障诊断指南
- JAVA实现贪吃蛇游戏
- 模糊神经网络实现与自学习能力探索
- PID型模糊神经网络控制器设计与学习算法
- 模糊神经网络在自适应PID控制器中的应用
- C++实现的学生成绩管理系统设计
- 802.1D STP 实现与优化:二层交换机中的生成树协议
- 解决Windows无法完成SD卡格式化的九种方法
- 软件测试方法:Beta与Alpha测试详解
- 软件测试周期详解:从需求分析到维护测试
- CMMI模型详解:软件企业能力提升的关键
- 移动Web开发框架选择:jQueryMobile、jQTouch、SenchaTouch对比
- Java程序设计试题与复习指南