英飞凌IPB083N10N3 G OptiMOS™3芯片中文规格书

"这是INFINEON英飞凌公司生产的IPB083N10N3 G芯片的中文规格书手册，详细介绍了该型号芯片的主要特性、最大额定值以及产品概述。" 本文将深入探讨IPB083N10N3 G芯片的关键特性和应用领域，基于提供的部分信息进行详细解析。 IPB083N10N3 G是一款N沟道、正常电平的OptiMOS™3功率晶体管。OptiMOS系列是英飞凌推出的一种高性能功率MOSFET技术，以其卓越的栅极电荷与开启电阻（RDS(on)）乘积（FOM）而著称，这意味着在保证快速开关性能的同时，具备极低的导通电阻。低RDS(on)有助于减少工作时的功耗，提高效率，尤其适用于需要高频率开关和同步整流的应用场景。 该芯片的最大连续漏电流ID在25°C时为80A，而在100°C时则降至58A。脉冲漏电流ID,pulse在25°C下可达到320A，表明其在瞬态负载下的出色表现。同时，它能承受单脉冲雪崩能量EAS达110mJ，确保了在过载条件下的稳定性。栅源电压VGS的最大值为±20V，保证了控制信号的稳定传输。在25°C条件下，允许的最大总功率损耗Ptot为125W，适合高功率应用。 芯片的工作和储存温度范围为-55°C到175°C，符合IEC68-1的DIN IEC气候类别55/175/56标准，确保了在极端环境下的可靠性。封装形式包括PG-TO220-3、PG-TO262-3、PG-TO263-3和PG-TO252-3，满足不同设计需求。其中，PG-TO252-3封装的RDS(on)最大值为8.2mΩ，ID为80A。 此外，IPB083N10N3 G符合无铅化要求，符合RoHS标准，并且是无卤素设计，符合IEC61249-2-21的规定，强调了其环保特性。该芯片已通过JEDEC的J-STD20和JESD22认证，适用于目标应用。 IPB083N10N3 G是一款高性能、低功耗、耐高温的功率MOSFET，广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源和同步整流等需要高效能、低损耗的电力电子系统中。其出色的电气特性、封装选择和环保设计使其成为现代工业和消费电子产品的理想选择。