英飞凌IPB042N10N3 G MOSFET中文规格书：低阻高性能

"IPB042N10N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本文将详细介绍英飞凌科技公司生产的IPB042N10N3 G型号的OptiMOS 3功率晶体管。这是一款高性能的N沟道、正常电平的MOSFET，设计用于高频率开关和同步整流应用。该芯片具有卓越的性能参数，包括极低的导通电阻（RDS(on)）和门极电荷与RDS(on)乘积（FOM），使其在同类产品中脱颖而出。 该MOSFET的关键性能参数如下： 1. **击穿电压(VDS)**：100V，这表示在安全操作范围内，源极和漏极之间可承受的最大电压。 2. **最大导通电阻(RDS(on),max)**：4.2毫欧，这是一个衡量MOSFET在完全开启状态下，电流通过时所产生压降的指标，数值越小意味着更低的功率损耗。 3. **连续 Drain 电流(ID)**：137A，表示在规定条件下，MOSFET能持续通过的最大电流。 该器件还具备以下特性： - 允许**工作温度范围**达到175°C，这使得它能在高温环境下稳定工作。 - 符合**无铅**和**RoHS**标准，即引脚镀层不含铅，符合欧盟关于有害物质限制的规定。 - 按照**JEDEC**标准进行资格认证，确保其适用于目标应用。 - **无卤素**，符合IEC61249-2-21标准，降低了对环境的影响。 此外，IPB042N10N3 G封装类型为PG-TO263-3，市场代码标记为042N10N。规格书中还包含了关于**最大额定值**、**热特性**、**电气特性**的图表以及详细的**电气特性曲线**，帮助工程师在实际应用中更好地理解和使用该器件。附带的修订历史、商标和免责声明提供了额外的信息，以确保用户获得最新和准确的数据。 综合来看，IPB042N10N3 G是一款高性能、环保且适应性强的功率MOSFET，适合在需要高效能和高可靠性的电源转换系统中使用。其独特的优化设计和出色的电气性能参数，使其成为高频率开关应用的理想选择。