FQD50N06-VB MOSFET: 60V, 60A Trench FET特性与极限参数解析

本文档详细介绍了FQD50N06-VB型号的N沟道高压功率MOSFET（TrenchFET）的特性、参数和应用场景。该MOSFET具有以下关键特性： 1. **高温耐受性**：FQD50N06的最大结温高达175°C，适合在高工作温度下稳定运行。 2. **TrenchFET结构**：采用沟槽场效应晶体管设计，能提供更小的通态电阻(RDS(on))和更低的导通电压(Vth)，从而提高效率和开关速度。 3. **电气规格**： - **RDS(on)**：在10V栅极电压下，低阻态电阻为9mΩ，而在4.5V时为11mΩ，显示出良好的电流控制能力。 - **最大连续漏极电流** (ID)：在25°C下，分别有0.010A和0.013A的限制，脉冲峰值电流限制为100A（IDM）。 - **其他电流参数**：包括最大连续源电流(IS)和雪崩电流(IAS)等。 4. **安全限制**：提供了绝对最大额定值，如最大功率损耗(PD)为136W，在25°C环境温度下操作，且单个雪崩能量限制为125mJ。 5. **热管理**：具有优良的热阻抗，如junction-to-ambient热阻(RthJA)典型值为15°C/W，最大值为18°C/W，以及junction-to-case热阻(RthJC)典型值为0.85°C/W，保证了散热性能。 6. **封装**：FQD50N06采用TO252封装，适合表面安装，且在1"x1"FR4板上可以轻松集成。 7. **应用范围**：适用于需要60V电压和60A电流的电路设计，特别适合于那些对功率密度和散热性能有较高要求的应用场景，如电源转换、电机驱动、工业控制等。 8. **注意事项**： - 包装有限制。 - 仅限于10秒内100°C的持续脉冲电流。 - 设计时需考虑特定的限制条件。 9. **联系信息**：文档最后提供了VBsemi公司的服务热线400-655-8788，供用户查询更多信息或支持。 FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，特别适合在工业级和功率密集型应用中使用，通过其优越的电气性能和热管理特性确保了系统的可靠性和稳定性。在实际设计中，设计师需要仔细评估这些参数，并结合具体的应用条件来选择和使用这款MOSFET。