FQD50N06-VB MOSFET: 60V, 60A Trench FET特性与极限参数解析
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了FQD50N06-VB型号的N沟道高压功率MOSFET(TrenchFET)的特性、参数和应用场景。该MOSFET具有以下关键特性:
1. **高温耐受性**:FQD50N06的最大结温高达175°C,适合在高工作温度下稳定运行。
2. **TrenchFET结构**:采用沟槽场效应晶体管设计,能提供更小的通态电阻(RDS(on))和更低的导通电压(Vth),从而提高效率和开关速度。
3. **电气规格**:
- **RDS(on)**:在10V栅极电压下,低阻态电阻为9mΩ,而在4.5V时为11mΩ,显示出良好的电流控制能力。
- **最大连续漏极电流** (ID):在25°C下,分别有0.010A和0.013A的限制,脉冲峰值电流限制为100A(IDM)。
- **其他电流参数**:包括最大连续源电流(IS)和雪崩电流(IAS)等。
4. **安全限制**:提供了绝对最大额定值,如最大功率损耗(PD)为136W,在25°C环境温度下操作,且单个雪崩能量限制为125mJ。
5. **热管理**:具有优良的热阻抗,如junction-to-ambient热阻(RthJA)典型值为15°C/W,最大值为18°C/W,以及junction-to-case热阻(RthJC)典型值为0.85°C/W,保证了散热性能。
6. **封装**:FQD50N06采用TO252封装,适合表面安装,且在1"x1"FR4板上可以轻松集成。
7. **应用范围**:适用于需要60V电压和60A电流的电路设计,特别适合于那些对功率密度和散热性能有较高要求的应用场景,如电源转换、电机驱动、工业控制等。
8. **注意事项**:
- 包装有限制。
- 仅限于10秒内100°C的持续脉冲电流。
- 设计时需考虑特定的限制条件。
9. **联系信息**:文档最后提供了VBsemi公司的服务热线400-655-8788,供用户查询更多信息或支持。
FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合在工业级和功率密集型应用中使用,通过其优越的电气性能和热管理特性确保了系统的可靠性和稳定性。在实际设计中,设计师需要仔细评估这些参数,并结合具体的应用条件来选择和使用这款MOSFET。
2023-12-18 上传
2024-10-14 上传
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