FQD50N06L-VB MOSFET:高温175°C下的N沟道应用解析
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更新于2024-08-03
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"本文主要分析了FQD50N06L-VB这款N沟道TO252封装的MOSFET,探讨其在实际应用中的特性、规格及性能参数。"
FQD50N06L-VB是一款N沟道MOSFET,采用TrenchFET®技术,这种技术通过沟槽结构优化了器件的开关性能,降低了导通电阻,从而提高了效率。该MOSFET适用于高温环境,其结温可达到175°C,这使得它适合于需要耐高温的电子设备中。
产品主要特性包括:
1. 高结温:175°C,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
2. TrenchFET®技术:提供更好的开关性能和更低的导通电阻。
3. 材料分类:满足特定的应用标准和安全规定。
规格参数是评估MOSFET性能的关键因素:
- 额定电压(VDS):60V,表明该器件可以在60V的电压下正常工作。
- 阻态电阻(RDS(on)):在VGS=10V时为0.010Ω,VGS=4.5V时为0.013Ω,这代表了在开启状态下流过器件的电流时,其内部的损耗较低。
- 连续漏极电流(ID):在不同温度条件下有不同的额定值,如在25°C时为50A,在100°C时则限制在更小的值,显示了器件的电流承载能力。
绝对最大额定值定义了MOSFET的工作边界,防止因过载导致损坏:
- 门极-源极电压(VGS):±20V,超过这个范围可能会损坏MOSFET。
- 连续漏极电流(ID)和脉冲漏极电流(IDM):分别给出了不同条件下的电流限制。
- 持续源电流(IS)和雪崩电流(IAS):限制了器件在反向偏置条件下的电流,避免发生雪崩击穿。
热性能是衡量MOSFET散热能力的重要指标:
- 最大结温至环境温度(RthJA):在10秒内为15到18°C/W,持续状态下为40到50°C/W,表示每增加1W功率,器件温度会上升相应的度数。
- 结温至壳温(RthJC):0.85到1.1°C/W,反映了从器件内部到封装外壳的热阻。
此外,FQD50N06L-VB的封装为TO-252,这是一种常见的表面贴装封装,便于在电路板上安装。其电气特性、尺寸以及耐热性使得这款MOSFET适用于电源管理、开关电源、电机驱动等应用领域。
总结来说,FQD50N06L-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具备良好的高温耐受性和低导通电阻,适用于需要高效能和可靠性的电子产品设计。在使用时,必须遵循其绝对最大额定值和热特性,以确保器件的长期稳定工作。
2023-11-28 上传
2023-10-10 上传
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2023-12-19 上传
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